AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型  

A semiempirical model for kink effect on the AlGaN/GaN high electron mobility transistor

作　　者：马骥刚[1,2] 马晓华[1,2] 张会龙[1,2] 曹梦逸[2] 张凯[2] 李文雯[2] 郭星[2] 廖雪阳[2] 陈伟伟[1,2] 郝跃[2] 

机构地区：[1]西安电子科技大学技术物理学院,西安710071 [2]宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院,西安710071

出　　处：《物理学报》2012年第4期414-418,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2011CBA00606)资助的课题~~

摘　　要：初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电流的变化量.最后,我们采用模型仿真结合实验分析的方法,对kink效应进行了一定的物理研究,结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.Kink effect is analyzed in AIGaN/GaN devices primarily,A semiempirical model is given by analyzing the kink effect on AIGaN/GaN high electron mobility transistor and by considering the relationship between V_（ds.kink） and gate voltage.Due to a little error between simulation results and measured data,this model can be used to identify the occurrence of kink effect and change in drain current.The analyses of experimental results and model simulation lead to a conclusion that impact ionization plays an important role in generating kink effect.

关 键 词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 KINK效应 模型 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]