翟宪振

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：南通大学更多>>
发文主题：GANAPD雪崩二极管读出电路设计读出电路更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子器件》《固体电子学研究与进展》《计算机工程与科学》更多>>
所获基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
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高压LDMOS准饱和效应研究
《固体电子学研究与进展》2013年第5期466-471,共6页翟宪振 吴海峰 罗向东 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2012656)
借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFE...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 准饱和效应 线性工作区 
GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计被引量：2
《电子器件》2013年第5期656-661,共6页吴海峰 翟宪振 罗向东 
国家自然科学基金项目(11104150);江苏省自然科学基金项目(BK2012656)
基于GaN基APD（雪崩二极管）日盲紫外探测器工作原理,我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路（ROIC）。考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性,我们重点研究了80 V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路...
关键词：紫外探测 读出电路 线性模式 雪崩二极管 
具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究
《计算机工程与科学》2012年第4期23-27,共5页罗向东 翟宪振 戴珊珊 余晨辉 刘培生 
国家自然科学基金资助项目(A040205);江苏省高校重大基础研究基金资助项目(08KJA510002);江苏省企业博士集聚计划;中国博士后基金资助项目(20110490075);南通市应用科技计划资助项目(K2008024)
本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作...
关键词：LDMOS 高斯表面 漂移区 开态击穿电压 表面电场 
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