降低表面电场

作品数：6被引量：7H指数：2
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相关作者：张波李泽宏李肇基张玉明宋庆文更多>>
相关机构：北京智芯微电子科技有限公司北京芯可鉴科技有限公司电子科技大学中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)更多>>
相关期刊：《微电子学》《固体电子学研究与进展》《南京邮电大学学报（自然科学版）》更多>>
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一种具有辅助耗尽效应的BiCMOS NJFET
《微电子学》2018年第5期682-685,共4页冯金荣 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金资助项目(61531016);四川省科技支撑计划重点资助项目(2016GZ0059;2017GZ0110)
基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层。利用PBOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的...
关键词：N沟道结型场效应晶体管 降低表面电场 击穿电压 BICMOS 
700V三层RESURF nLDMOS优化设计被引量：2
《微电子学》2013年第2期278-281,共4页孙鹏 刘玉奎 陈文锁 
提出了一种利用高能离子注入形成的700V三层RESURF结构nLDMOS。与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂移区内部形成P型埋层,漂移区表面保留一条N型导电通路,导通电阻有所降低。利用Sentaurus TCAD仿真软件,...
关键词：横向双扩散金属-氧化物-半导体 降低表面电场 击穿电压 比导通电阻 
任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型被引量：1
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2010年第5期11-15,共5页郭宇锋 花婷婷 
国家自然科学基金(60806027;61076073);中国博士后科学基金(20070411013);电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KF2008001);江苏省高校自然科学基金(08KJA510002;09KJB510010)资助项目
基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向掺杂的横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式,得到了一个新的RESURF判据。借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、...
关键词：降低表面电场 功率器件 表面电场 击穿电压 解析模型 
新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究被引量：2
《微电子学》2008年第4期457-460,464,共5页叶毅 张金平 罗小蓉 张波 李肇基 蒋辉 
国家安全重大基础研究项目资助(51327010101)
提出了一种新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强,加快漂移区耗尽。同时,利用D-RESURF技术,提高器件击穿电压和正向导通特性;利用二维数值模拟,从耐压的角度,对降场层的厚度、浓度和长度进行...
关键词：4H—SiC 肖特基二极管 降低表面电场 击穿电压 
薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第1期1-5,共5页李琦 李肇基 张波 
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Po isson方程,获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数(n=1、2、3、5)的击穿特性,计算了击穿电压与结...
关键词：薄外延 阶梯掺杂 降低表面电场 击穿电压 解析模型 
高压RESURFLDMOST的开态电阻与关态电压
《微电子学》1995年第5期23-29,共7页熊平 卢豫曾 
降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ）原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ的优化设计作了深入的讨论...
关键词：LDMOST 高压器件 功率IC 降低表面电场 
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