熊平

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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：LDMOST表面电场RESURF薄膜电容器高压器件更多>>
发文领域：电子电信艺术自动化与计算机技术化学工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《现代艺术》更多>>
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为爱逆行
《现代艺术》2020年第2期88-88,共1页熊平(词) 陈万(曲/唱) 
表面电场整形高压RESURF　LDMOST
《微电子学》1996年第4期221-225,共5页熊平 卢豫曾 
提出了采用对ＬＤＭＯＳ漂移区表面进行分段离子注入，对表面电场进行整形的一种新结构高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明，这种新结构显著降低了表面电场峰值，降低了采用ＲＥＳＵＲＦ技术导致...
关键词：半导体器件 功率器件 LDMOST 高压器件 RESURF 
高压RESURFLDMOST的开态电阻与关态电压
《微电子学》1995年第5期23-29,共7页熊平 卢豫曾 
降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ）原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ的优化设计作了深入的讨论...
关键词：LDMOST 高压器件 功率IC 降低表面电场 
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