叶毅

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：击穿电压金属半导体场效应晶体管肖特基二极管4H-SIC槽栅更多>>
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新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究被引量：2
《微电子学》2008年第4期457-460,464,共5页叶毅 张金平 罗小蓉 张波 李肇基 蒋辉 
国家安全重大基础研究项目资助(51327010101)
提出了一种新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强,加快漂移区耗尽。同时,利用D-RESURF技术,提高器件击穿电压和正向导通特性;利用二维数值模拟,从耐压的角度,对降场层的厚度、浓度和长度进行...
关键词：4H—SiC 肖特基二极管 降低表面电场 击穿电压 
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