200V高压SOI PLDMOS研究  

Research on 200 V High Voltage SOI PLDMOS

作　　者：宋慧滨[1] 李维聪[1] 钱钦松[1] 

机构地区：[1]东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,南京210096

出　　处：《电子器件》2009年第5期880-883,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：江苏省自然科学基金资助(BK2008287)

摘　　要：提出了一种200V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8μm埋氧层、10μmSOI层材料上设计得到了关态耐压248V、开态饱和电流2.5×10-4A/μm、导通电阻2.1(105Ω*μm的SOI PLDMOS,该器件可以满足PDP扫描驱动芯片等的应用需求。A 200 V high voltage power SOI PLDMOS is proposed. The relationships between electrice parameters, as breakdown voltage, on-resistance and the dose of Pdrift region,the Pbuffer layer, the dose of Nbody and the length of the field plate are discussed. By using TSUPREM-4 and MEDICI simulator, breakdown voltage and saturation current are optimized. The breakdown voltage, saturation current and on-resistance of the optimized SOl PLDMOS are 248 V, 2.5 · 10^-4 A/μm and 2.1 · l0^5Ω·μm respectively, This SUI PLDMOS can be well applied in PDP scan driver ICs.

关 键 词：击穿电压 导通电阻 SOI PLDMOS 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]