非平衡载流子

作品数:32被引量:38H指数:3
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相关机构:电子科技大学中国科学院中山大学渭南师范学院更多>>
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基于忆阻器结构的Ge基光控晶体管制备及其光电性能研究
《半导体光电》2023年第4期543-550,共8页徐顺 陈冰 
国家自然科学基金项目(61704152,61473287)。
设计并制备了一种基于忆阻器结构且具有可编程特性的Ge基光控晶体管,它由两个结构为Ni/Ge/GeO_(x)/Al_(2)O_(3)∶HfO_(2)/Pd的忆阻器背对背组成,共用阻变层GeO_(x)/Al_(2)O_(3)∶HfO_(2)、衬底Ge和底电极Ni,阻变层的设计是实现光控晶体...
关键词: 忆阻器 光控晶体管 光电特性 器件物理 氧空位缺陷态 能带结构 非平衡载流子 
硅单晶中非平衡载流子寿命与注入水平的关系研究
《计量科学与技术》2021年第8期66-70,共5页高英 孙燕 王昕 李俊生 田蕾 李兰兰 叶灿明 
阐述了硅单晶中非平衡载流子寿命与注入水平的函数关系以及少子寿命与复合寿命的区别,通过变光强测量得到一组寿命与注入水平的实测数据,用拟合法求得少子寿命及复合寿命与注入水平的函数曲线,所得结果与S-R-H理论模型相符。根据理论与...
关键词:硅单晶 非平衡载流子寿命 注入水平 少子寿命 
光激发非平衡载流子的瞬态输运及强THz辐射研究被引量:1
《渭南师范学院学报》2018年第12期18-24,共7页薛红 席彩萍 
陕西省军民融合研究基金项目:高功率THz光电导偶极天线的设计(16JMR06);渭南师范学院自然科学研究一般项目:面向渭南环境安全监测的强THz源机理研究(15YKS007)
对强偏置电场作用下砷化镓光电导偶极天线的太赫兹辐射特性进行实验和理论研究,对比分析开关天线体内非平衡载流子的瞬态输运特性。结果发现:强电场下热电子平均漂移速度的变化与弱场情况具有显著的不同,初始阶段小角度光学波极化势散...
关键词:非平衡载流子 瞬态 输运 THZ辐射 
基于InP的全光高速相机的理论和实验研究
《强激光与粒子束》2016年第8期130-136,共7页宋岩 曹亮 彭博栋 宋顾周 李斌康 王宏兴 
国家自然科学基金项目(11505139;11505141)
为了评估基于瞬态光栅的全光高速相机系统中激发光强与图像信号之间的对应关系,验证基于磷化铟(InP)建立该相机的可行性。针对InP材料从理论上分析了从光子入射激发载流子,到载流子影响折射率,再到折射率影响衍射效率过程中各物理量值...
关键词:非平衡载流子 折射率 瞬态光栅 全光高速相机 
强电场作用半导体非平衡载流子输运的瞬态特性研究被引量:4
《半导体光电》2015年第6期942-945,共4页薛红 席彩萍 白秀英 
陕西省自然科学基金项目(2013JM8013);渭南师范学院特色学科建设项目(14TSXK06)
根据量子统计理论,结合材料的晶格结构和能带特点,研究了半导体材料电子态的微观结构及非平衡载流子的量子统计分布特性;分析了电子-声子相互作用的微观状态和弛豫过程,对强电场作用下非平衡载流子的分布函数、弛豫过程及输运过程的非...
关键词:强电场 载流子 弛豫过程 输运过程 
脉冲激光诱导下ZnO纳米线阵列中非平衡载流子的扩散理论
《西北大学学报(自然科学版)》2013年第3期397-399,共3页高美玲 程汉 罗昊 
国家自然科学基金资助项目(11104218);陕西省自然科学基础研究计划基金资助项目(2010JZ001);陕西省自然科学基金资助项目(2010JZ001);陕西省留学人员科技活动择优基金资助项目(BSL11002)
为解决脉冲激光激发均匀半导体材料ZnO纳米线中所产生的非平衡载流子在一维情况下时间、空间的演化理论模型。采用级数展开法,求解非平衡载流子连续性方程,确定载流子随坐标和时间变化的解析解,并结合溶液法制备出的ZnO纳米线阵列,讨论...
关键词:扩散 非平衡载流子 激光脉冲诱导 ZNO纳米线阵列 
薄膜太阳电池系列讲座(19) 硅基薄膜太阳电池(十一)
《太阳能》2012年第23期21-23,20,共4页张晓丹 赵颖 熊绍珍 
热动力学损失:光照产生的光生非平衡载流子,即使电子和空穴回到其能带底或顶的稳定位置,但系统仍处于非平衡态,系统将通过载流子的产生、输运、复合才达到动态平衡。
关键词:薄膜太阳电池 非平衡载流子 硅基 热动力学 非平衡态 系统 
激光作用GaAs非平衡载流子瞬态特性研究被引量:2
《渭南师范学院学报》2012年第10期32-36,共5页薛红 
陕西省教育厅专项科研计划项目(12JK0989);渭南师范学院科研计划项目(12YKF017)
根据GaAs材料的能带模型和能带特点,对激光脉冲作用下GaAs中非平衡载流子浓度及其微观驰豫过程进行研究.相位驰豫的主要散射机制为载流子—载流子散射,散射时间为几十个fs;准热平衡驰豫主要为载流子—声子散射,散射时间大约为ps量级,非...
关键词:热激发 GAAS 非平衡载流子 弛豫 
GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究被引量:5
《西安理工大学学报》2011年第4期407-410,共4页薛红 施卫 纪卫莉 韩小卫 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB310406);国家自然科学基金资助项目(50837005;10876026)
根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析。认为GaAs光电导开关的非线性锁...
关键词:光电导开关 锁定效应 光激发单极电荷畴 非平衡载流子 
非平衡载流子的注入对硅片薄层电阻测量的影响研究
《中国高新技术企业》2011年第31期56-57,共2页韩萌 刘晟 
对半导体硅片进行薄层电阻测试的过程中,当探针接触半导体材料表面,将向表面材料中注入载流子,这将影响薄层电阻测量数据的误差,文章分析了注入的非平衡载流子对测试精度的影响,讨论了注入造成影响的原因,得出测试过程中为减小注入的影...
关键词:非平衡载流子 半导体硅片 薄层电阻 测试条件 
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