纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性  

The I-V characteristics of nano-silicon/crystal silicon hetero-junction

作　　者：刘明[1] 刘宏[2] 何宇亮[3] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]苏州科技大学应用物理系,苏州215000 [3]南京大学物理系,南京210093

出　　处：《物理学报》2003年第11期2875-2878,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 2 3 60 10 )资助的课题~~

摘　　要：用纳米硅 (nc_Si∶H)薄膜制成了纳米硅 单晶硅 (nc_Si∶H c_Si)异质结二极管 ,对nc_Si∶H c_Si异质结的特性进行了研究 ,它具有很好的温度稳定性 .温度从 2 0℃上升到 2 0 0℃ ,I_V曲线只有很小的漂移 .对nc_Si∶H c_Si异质结二极管的输运机理进行了讨论 .The nc-Si : H/c-S hetero-junction is fabricated and studied using nc-Si : H films. Its I-V curves have good thermal stability and change little in the temperature range from 20 to 200degreesC. The existence of a large amount of interfacial states is resoponsible for the good switch characteristics of the nc-Si : H/c-Si hetero-junction.

关 键 词：纳米硅薄膜 异质结二极管 输运机理 禁带宽度 伏安特性 隧穿模型 热电子发射模型 扩散模型 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]