翟亚红

作品数：24被引量：36H指数：4
导出分析报告
供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：铁电电容铁电铁电存储器抗辐射PZT更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《电子学报》《Journal of Semiconductors》《电子科技》《微电子学》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
铁电负电容场效应晶体管器件的研究
《压电与声光》2019年第6期782-785,共4页李珍 翟亚红 
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金资助项目(ZHD201601);中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(ZYGX2016J047)
铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matla...
关键词：铁电负电容场效应晶体管 低功耗晶体管 亚阈值摆幅 铁电材料 铁电电容 
铁电负电容可测试性的仿真研究
《微电子学》2019年第5期724-728,共5页王步冉 李珍 谭欣 翟亚红 
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金资助项目(ZHD201601);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(ZYGX2016J047)
铁电材料具有负电容特性,可应用于新一代超低亚阈值摆幅晶体管中。由于铁电负电容具有准静态特性,在实际测试中,难以直接观测到单独铁电电容的负电容现象。基于“Ginzburg-Landau”模型,采用TCAD软件,构建了紧凑的HfO2铁电电容结构,并...
关键词：铁电材料 负电容效应 负电容场效应晶体管 
SOI铁电负电容晶体管亚阈值特性研究被引量：1
《压电与声光》2019年第5期756-759,共4页王步冉 李珍 谭欣 翟亚红 
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金资助项目(ZHD201601);中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(ZYGX2016J047)
随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体管基于铁电材料的负电容效应可有效地降低器件的亚阈值摆幅,从而降低器件的功耗。该文设计了一种基于绝缘...
关键词：负电容场效应晶体管 低功耗 亚阈值摆幅 铁电材料 负电容效应 
铁电负电容晶体管的研究进展被引量：1
《材料导报》2019年第3期433-437,共5页谭欣 翟亚红 
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(ZHD201601);中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2016J047)~~
铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60 mV/dec的理论极限,是未来突破晶体管工作电压VDD和器件尺寸进一步减小瓶颈的关键。自2008年低功耗负电容晶体管的概念被提出以来,该晶体管因简单的器件结构和优异的电路性能而一直受到业界学者的...
关键词：铁电 负电容 负电容晶体管(NCFET) 低功耗 
基于动态频率补偿的LDO电路设计被引量：3
《电子科技》2019年第2期61-65,共5页牛刚刚 李威 刘文韬 翟亚红 
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(ZHD201601)~~
文中提出了一种基于动态频率补偿技术的LDO电路。通过添加电压缓冲器,提高了LDO的环路增益和瞬态响应特性。该电路通过电流镜采样调整管电流,使主极点频率与第三极点频率随负载电流的改变而产生相同倍数的变化,克服了LDO零极点随负载变...
关键词：动态频率补偿 电流镜 零极点 频率特性 相位裕度 稳定性 
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
《微电子学与计算机》2017年第12期25-27,33,共4页张庆伟 李平 廖永波 王刚 曾荣周 王恒 翟亚红 
国家自然科学基金项目(61404021);电子薄膜与集成器件重点实验室开放基金(KFJJ201608)
对于传统的硅MOS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆...
关键词：石墨烯晶体管 跨导 宽长比 硅MOS晶体管 
铁电存储单元单粒子效应的仿真与研究被引量：1
《压电与声光》2014年第6期955-957,共3页万义才 翟亚红 李平 辜柯 何伟 
运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响。结合单粒子对MOS器件的影响,用电流模拟单粒子对存储单元的影响且进行仿真分析。仿真结果表明脉冲电流峰值越高,时间越长,铁电存储单元越容易翻转。经分析得出了铁...
关键词：铁电电容 铁电存储器 单粒子效应 电畴 仿真模型 
铁电晶体管存储器的读出电路设计
《压电与声光》2014年第2期294-296,301,共4页何伟 杨健苍 翟亚红 杨成韬 李俊宏 
国家自然科学基金资助项目(61204084)
通过对铁电晶体管电学特性分析,提出了铁电晶体管的仿真模型,并设计了一种新型单管(1T)结构的读出电路。通过此模型进行了仿真验证,并与传统双管(2T)结构的电流放大读出电路的仿真结果进行对比,结果表明,新型1T结构读出电路在读出速度,...
关键词：铁电晶体管 仿真模型 单管结构 读出电路 
铁电存储器单元信号的测试与研究被引量：1
《微电子学》2013年第6期792-796,801,共6页翟亚红 李威 李平 胡滨 李俊宏 辜科 
国家自然科学基金资助项目(61204084)
基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电...
关键词：铁电电容 铁电存储器 位线电容 读出容差 
FeCoSiB薄膜在应力调控下的微磁模拟
《压电与声光》2013年第1期129-131,135,共4页奉建华 翟亚红 杨成韬 张彩虹 张万里 
国家重点基础研究发展计划(“九七三”)基金资助项目(51613Z)
从微磁学理论出发,利用微磁学软件OOMMF,从理论上研究不同大小、方向的应力对FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响。结果表明,磁滞回线明显取决于所施加的应力;且剩磁和矫顽力对应力的大小、方向的敏感...
关键词：微磁学模拟 剩磁 矫顽力 应力 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部