铁电晶体管存储器的读出电路设计  

Design of Readout Scheme for Ferro-Electric Field Effect Transistor

作　　者：何伟[1] 杨健苍[1] 翟亚红[1] 杨成韬[1] 李俊宏[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出　　处：《压电与声光》2014年第2期294-296,301,共4页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61204084)

摘　　要：通过对铁电晶体管电学特性分析,提出了铁电晶体管的仿真模型,并设计了一种新型单管(1T)结构的读出电路。通过此模型进行了仿真验证,并与传统双管(2T)结构的电流放大读出电路的仿真结果进行对比,结果表明,新型1T结构读出电路在读出速度,可靠性及电路结构大小等方面均有提高。By analyzing the electronic property of ferro-electric field effect transistor （FeFET）, the simulation module of FeFET was proposed and a new readout scheme for 1T type was designed. Based on the simulation mod- ule, the function of scheme was testified. Compare to the simulation result of tradition current-based readout scheme for 2T type, the new readout scheme for 1T type was faster, with further improvement on the reliability and circuit structure.

关 键 词：铁电晶体管 仿真模型 单管结构 读出电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]