铁电电容

作品数：26被引量：19H指数：2
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应用于FeRAM设计的铁电电容宏模型
《中国集成电路》2024年第7期37-44,共8页王浩 郭术明 吴超 
本文结合实际铁电存储器的基本电路单元和读写原理,基于Preisach理论和铁电电畴矫顽电压概率密度函数一维分布近似提出了用于电路仿真的铁电电容宏模型。模型采用与spice兼容的Verilog-A语言实现,能够准确描述铁电电容的非饱和滞回特性...
关键词：铁电存储器 铁电电容 宏模型 Preisach理论 
氧化铪基铁电电容的唤醒-疲劳效应与相结构演变
《电子显微学报》2024年第3期277-282,共6页辛天骄 王怡炜 高兆猛 郑赟喆 郑勇辉 成岩 
国家自然科学基金资助项目(Nos.62174054,92064003,62104071,12134003);上海市自然科学基金资助项目(No.23ZR1418000);中国科学院战略性先导科技专项(No.XDB44000000).
掺杂氧化铪(HfO_(2))铁电薄膜具有优异的尺寸微缩特性与良好的半导体工艺兼容性,其铁电电容结构兼容主流动态随机存取存储架构,是新型存储器介质材料的有力候选者。HfO_(2)基铁电电容随电学读写操作(循环)次数的增加,其代表“0”和“1...
关键词：掺杂氧化铪 铁电存储 唤醒 疲劳 失效 
铁电负电容场效应晶体管器件的研究
《压电与声光》2019年第6期782-785,共4页李珍 翟亚红 
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金资助项目(ZHD201601);中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(ZYGX2016J047)
铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matla...
关键词：铁电负电容场效应晶体管 低功耗晶体管 亚阈值摆幅 铁电材料 铁电电容 
与CMOS后端工艺高度兼容的Hf0.5Zr0.5O2铁电电容的制备和性能研究
《湘潭大学学报（自然科学版）》2019年第3期74-81,共8页刘晨 肖文武 郑帅至 廖敏 周益春 
国家自然科学基金项目(51702273)
最近,在氧化铪薄膜材料中掺杂适量元素发现了铁电性,因为氧化铪薄膜材料与传统的钙钛矿结构铁电材料相比具有可微缩性化、较大的矫顽电场、与CMOS后端工艺高度兼容等优势,从而引起了广泛的关注.该文对应用于铁电场效应晶体管(FeFET)的...
关键词：氧化铪薄膜 保持 疲劳 原子层沉积法 
Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的特性研究被引量：1
《微电子学》2019年第3期418-421,426,共5页王健健 白华 许高博 李梅 毕津顺 
国家自然科学基金资助项目(616340084)
利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜。通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响。实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达3...
关键词：铪锆氧 铁电电容 机械夹持 剩余极化强度 矫顽电压 
铁电电容系统非线性电滞参数模型研究
《力学季刊》2016年第3期457-465,共9页薛晓敏 孙清 伍晓红 张陵 
国家自然科学基金(11172226;11502188)
为解决铁电电滞模型中特性参数确定困难的问题,改善模型在工程应用中受限现状,本文利用遗传算法提出一种实用的铁电模型特性参数识别方法,可根据随机试验数据完成特性参数的提取,继而重构铁电模型以模拟各种铁电电容系统的非线性电滞行...
关键词：铁电材料 力电特性 电滞回线 参数识别 遗传算法 
铁电存储单元单粒子效应的仿真与研究被引量：1
《压电与声光》2014年第6期955-957,共3页万义才 翟亚红 李平 辜柯 何伟 
运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响。结合单粒子对MOS器件的影响,用电流模拟单粒子对存储单元的影响且进行仿真分析。仿真结果表明脉冲电流峰值越高,时间越长,铁电存储单元越容易翻转。经分析得出了铁...
关键词：铁电电容 铁电存储器 单粒子效应 电畴 仿真模型 
铁电存储器单元信号的测试与研究被引量：1
《微电子学》2013年第6期792-796,801,共6页翟亚红 李威 李平 胡滨 李俊宏 辜科 
国家自然科学基金资助项目(61204084)
基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电...
关键词：铁电电容 铁电存储器 位线电容 读出容差 
抗辐射铁电存储器的研究进展被引量：7
《材料导报》2012年第23期34-38,共5页翟亚红 李威 李平 胡滨 霍伟荣 李俊宏 辜科 
国家自然科学基金(61204084)
在分析铁电存储器工作原理以及铁电薄膜材料抗辐射能力的基础上,综述了商业化铁电存储器的发展历程以及辐射实验结果。总结了抗辐射加固的铁电存储器的研究进展以及抗辐射加固的方法,展望了抗辐射铁电存储器的应用前景。
关键词：铁电存储器 辐射效应 铁电材料 铁电电容 
基于HSIM的铁电电容性能的研究
《压电与声光》2012年第4期614-616,621,共4页毕长红 罗玉香 胡滨 翟亚红 辜科 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金资助项目
基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性...
关键词：铁电电容 铁电存储器 剩余极化 
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