许高博

作品数：11被引量：10H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：金属栅半导体器件沟道介质层堆叠更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学金属学及工艺更多>>
发文期刊：《传感技术学报》《微电子学》《半导体技术》《光子学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院科研装备研制项目更多>>
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环境温度对HfO_(2)铁电存储器的质子辐照效应影响研究
《微电子学》2024年第2期330-337,共8页朱旭昊 袁亦辉 黄铭敏 马瑶 毕津顺 许高博 龚敏 杨治美 李芸 
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助(SKLIPR2109)。
基于HfO_(2)的铁电随机存取存储器(FeRAM)具有功耗低、存取速度快,易于小型化,抗干扰能力强等优势,在航天航空领域有广袤的发展空间。然而,FeRAM在太空环境下的抗辐照性能尚未得到全面的研究。研究了W/TiN/Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)/...
关键词：HfO_(2) 铁电存储器 质子辐照 温度 
面向先进光源的硅像素传感器保护环结构仿真研究
《光子学报》2021年第12期186-193,共8页孙朋 傅剑宇 许高博 丁明正 翟琼华 殷华湘 陈大鹏 
中国科学院重大科研仪器研制项目(No.ZDKYYQ20200007)。
硅像素传感器上的保护环结构有利于提高传感器的耐高电压性能,为评估保护环结构对硅像素传感器的保护效果,仿真分析了三种保护环结构。通过计算机辅助设计技术对三种保护环结构进行二维建模,利用TACD内置的电学模型对三种保护环结构的I-...
关键词：PIN二极管 硅像素传感器 保护环 耐高电压 计算机辅助设计 
3D NAND中基于SEG高度失效模型的DPPM预测算法
《电子产品可靠性与环境试验》2020年第6期58-61,共4页李治昊 夏志良 许高博 周文犀 霍宗亮 
3D NAND中工艺结构是导致器件失效的重要因素之一,其中,选择性外延生长(SEG)的生长高度也是导致失效的一个重要参数。因此,提出了一种新的关于SEG高度引起器件失效的模型、失效概率的计算方法,并由此计算预测每百万缺陷数(DPPM)。该算...
关键词：3D NAND 失效概率 选择性外延生长高度 每百万缺陷数 预测算法 
一种硅漂移探测器的优化设计与特性研究
《传感技术学报》2020年第1期7-11,共5页刘瑶光 殷华湘 吴次南 许高博 翟琼华 
中国科学院科研装备研制项目。
硅漂移探测器(SDD)因能量分辨率高和计数率高广泛应用于X射线的探测分析。阐述了同心圆环结构的圆柱形硅漂移探测器的工作原理,基于该结构采用TCAD仿真其内部电势分布、电场分布和电子浓度分布,依照仿真结果对器件结构进行优化,并对所...
关键词：半导体探测器 硅漂移探测器 模拟仿真 测试 
Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的特性研究被引量：1
《微电子学》2019年第3期418-421,426,共5页王健健 白华 许高博 李梅 毕津顺 
国家自然科学基金资助项目(616340084)
利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜。通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响。实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达3...
关键词：铪锆氧 铁电电容 机械夹持 剩余极化强度 矫顽电压 
一种新型隧穿场效应晶体管
《半导体技术》2019年第3期185-188,共4页卜建辉 许高博 李多力 蔡小五 王林飞 韩郑生 罗家俊 
提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件...
关键词：隧穿场效应晶体管(TFET) 绝缘体上硅(SOI) 泄漏电流 带带隧穿(BTBT) 双极效应 
隧穿场效应晶体管的研究进展被引量：3
《微纳电子技术》2018年第10期707-718,共12页陶桂龙 许高博 殷华湘 徐秋霞 
中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题
隧穿场效应晶体管（TFET）已成为低压低功耗半导体器件的一个重要发展方向，但是自身存在的问题使其目前难以在实际电路设计中得到大量应用，主要原因之一是其开态电流过小。对隧穿场效应晶体管进行了简要介绍，从其隧穿几率等方面对器...
关键词：低功耗器件 隧穿场效应晶体管(TFET) 开态电流 开关电流比 亚阈值摆幅 
硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件
《半导体技术》2017年第6期411-420,共10页陶桂龙 许高博 徐秋霞 
中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题支持项目
综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器...
关键词：Ⅲ-Ⅴ族纳米线 异质结 场效应晶体管 激光器 太阳电池 
源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2008年第6期1007-1012,共6页宋文斌 许高博 曾传滨 韩郑生 
国家自然科学基金(No:50576014):旋流式微混合器内旋流流动及相变过程研究
采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOI MOSFETs,通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多指栅ggnMOS管子导通均匀性的影响。结果显示,采用了硅化物隔...
关键词：绝缘体上硅SOI ESD 源漏硅化物 二次击穿 导通电阻 栅接地NMOS器件 
采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
《电子器件》2007年第5期1535-1538,共4页宋文斌 许高博 郭天雷 韩郑生 
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效...
关键词：部分耗SOI 鸟嘴效应 边缘电场效应 反向窄沟道效应 杂质重新分布 
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