2017年射频GaN市场打响未来器件之战哪项技术会出局  

出　　处：《半导体信息》2016年第6期27-29,共3页Semiconductor Information

摘　　要：未来器件的战争将会在GaN/SiC或者是GaN/Si之间打响。今年的GaN（氮化镓）器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟,并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。虽然LDMOS（横向扩散MOS晶体管）目前仍占据基础设施和工业市场的绝大部分份额,但这种情况可能很快就会改变,因为GaN性能与LDMOS基本相当甚至更胜一筹。

关 键 词：商业市场 GAN 器件 LDMOS 技术 射频 MOS晶体管 基础设施 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]