纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法  

Test Method on Negative Bias Temperature Instability in Nano-PMOSFET

作　　者：崔江维[1] 郑齐文[1] 余徳昭 周航[1,2] 苏丹丹 马腾[1,2] 郭旗 余学峰 

机构地区：[1]中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011 [2]中国科学院大学,北京100049

出　　处：《固体电子学研究与进展》2017年第6期433-437,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11475255,11505282);中国科学院西部之光资助项目(2015-XBQN-B-15)

摘　　要：P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,分析了现有测试方法的特点,在此基础上改进了测试试验方法。利用该方法对90nm体硅工艺器件的NBTI效应进行了测试和分析,结果表明该方法能够很好地避免间断应力方法造成的参数快速恢复,获得更加准确的试验数据。The negative bias temperature instability（NBTI）of P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（PMOSFET）is a key issue for the application of nano-MOS devices in long-life electronic systems.In order to accurately characterize the influence of NBTI effect on device parameters,the existing test methods were evaluated,and then an improved method was put forward in this paper.According to the method,the NBTI effect of a 90 nm bulk silicon device was tested and analyzed.The results show that the proposed method can obtain more accurate test data in the absence of the parameter fast recovery among methods of discontinuous stress.

关 键 词：纳米器件 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 负偏压温度不稳定性 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]