硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化  

作　　者：高文钰[1] 刘忠立[1] 梁秀琴[1] 于芳[1] 聂纪平[1] 李国花[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《电子学报》1999年第8期144-144,共1页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：采用表沟ｐ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ代替埋沟ｎ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点，因而在深亚微米ＣＭＯＳ工艺中被采纳．但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄栅介质和沟道区内，引起阈值电压不稳...

关 键 词：PMOSFET 二氧化硅 栅介质 硼扩散 性能退化 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]