背栅

作品数：41被引量：40H指数：3
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具有高K背栅的无电压回跳RC-IGBT静态特性研究
《现代电子技术》2025年第4期34-39,共6页王楠 徐勇根 胡夏融 
针对传统RC-IGBT导通压降大、击穿电压低等问题,提出一种具有高介电常数(高K)背栅的RC-IGBT器件结构,其特点是位于底部集电极的背栅介质采用高介电常数材料。高K介质增大了正向导通时背栅周围的空穴浓度,不仅消除了电压回跳,还降低了导...
关键词：RC-IGBT 电压回跳 高介电常数 背栅 导通压降 阻断特性 
背栅效应下氮化镓功率器件中的载流子缺陷能级与结构研究
《武汉大学学报(理学版)》2024年第6期763-768,共6页张梦蝶 季雯 曹茹月 姜俊松 尹玉莲 谭琨 赵长辉 张召富 郭宇铮 唐曦 
安徽省高校协同创新项目(GXXT-2023-001);安徽省自然科学基金(2308085QF212);武汉大学电子制造与封装集成湖北省重点实验室开放基金(EMPI2023008)。
通过实验表征和理论计算为氮化镓功率器件中的材料缺陷和背栅效应之间提供了物理联系。首先制备了硅基氮化镓高电子迁移率晶体管;然后采用电流瞬态方法研究了器件中背栅效应下的缺陷能级,基于时间常数谱和阿伦尼乌斯定律分析,确定了三...
关键词：背栅效应 电流瞬态方法 缺陷能级 第一性原理计算 
WS_(2)场效应晶体管的表面电子掺杂
《桂林电子科技大学学报》2024年第2期111-117,共7页李海鸥 冯天旸 刘兴鹏 
国家自然科学基金(61874036,61805053);广西精密导航技术及应用重点实验室基金(DH202020,DH202001)。
二硫化钨(WS_(2))属于过渡金属硫族化合物(TMDs)材料,具有较宽的可调带隙(1.3~2.1 e V),缺陷密度相对较低,且有超高的表面积比,可通过外界掺杂或相变处理来改善载流子传输性能,在低功耗场效应晶体管和超灵敏光电探测器等领域有广阔的应...
关键词：二硫化钨 HIGH-K 三乙胺 背栅晶体管 电学性能 
基于半绝缘SiC衬底GaN HEMT体陷阱的效应分析
《电子技术（上海）》2024年第3期1-3,共3页牛梓戌 
阐述采用背栅测试来表征GaN-on-SiC HEMT的体陷阱效应,过程中分别表现出两段式特征,分别对应Ⅲ族氮化物缓冲层以及半绝缘SiC衬底的加压过程。另外在Silvaco TCAD平台搭建相应的物理模型,仿真体陷阱效应以及在不同衬底电压下的电势分布。
关键词：GaN HEMTs 半绝缘SiC衬底 背栅测试 体陷阱效应建模 电流坍塌 外延优化 
150 nm FDSOI器件的背栅NBTI效应研究
《固体电子学研究与进展》2023年第6期552-556,共5页赵杨婧 禹胜林 赵晓松 洪根深 顾祥 
负偏置温度不稳定(NBTI)是器件的主要可靠性问题之一,本文通过对150 nm工艺的FDSOI器件进行加速应力试验,分析了不同栅极偏置应力、温度应力下器件阈值电压和饱和电流的退化特性,发现背栅偏置更容易导致NBTI退化,同时研究了正背栅耦合...
关键词：负偏置温度不稳定性(NBTI) 全耗尽型绝缘体上硅 背栅偏置 正背栅应力耦合 
背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理
《固体电子学研究与进展》2022年第6期449-455,共7页王海洋 郑齐文 崔江维 李豫东 郭旗 
新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06);国家自然科学基金资助项目(12075313);中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430,2018473)。
研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著...
关键词：绝缘体上硅 掩埋氧化物 背栅调控 总剂量辐照 
背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究被引量：1
《核技术》2022年第5期49-54,共6页王海洋 郑齐文 崔江维 李豫东 郭旗 
新疆维吾尔自治区自然科学基金项目(No.2021D01E06);国家自然科学基金(No.12075313);中国科学院青年创新促进会(No.2020430、No.2018473)资助。
为研究辐照过程中施加背栅偏置对不同沟道长度部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Partily Depleted Silicon-On-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors,PD SOI MOSFETs)电参数影响规律,及对隐埋...
关键词：绝缘体上硅 隐埋氧化层 背栅调控 总剂量辐照 
考虑背栅电流的DSOI MOSFET阈值电压模型研究
《原子能科学技术》2021年第12期2224-2230,共7页王可为 卜建辉 韩郑生 李博 黄杨 罗家俊 赵发展 
Supported by Youth Innovation Promotion Association CAS(2020119);National Natural Science Foundation of China(61874135,62011530040)。
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值电压与背栅电压之间的耦合机制会在背栅界面从耗尽型过度到强反型后改变,已有的模型不足以描述改变后的...
关键词：DSOI FDSOI 总剂量效应 阈值电压 背栅电压 
0.20μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应
《半导体技术》2021年第8期617-622,共6页王国庆 张晋敏 吴次南 谢泉 刘凡宇 李博 杨静琦 
国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合基础[2018]1028);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才[2015]4015);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]09);贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC[2015]026)。
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境...
关键词：双埋氧绝缘层上硅(DSOI) 自热效应(SHE) 晶格温度 退化电流 背栅 
考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型
《半导体技术》2020年第6期438-443,共6页张峰源 刘凡宇 李博 李彬鸿 张旭 罗家俊 韩郑生 张青竹 
国家自然科学基金资助项目(61874135,11905287)。
建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等...
关键词：绝缘体上鳍(FOI) 鳍式场效应晶体管(FinFET) 电流模型 背栅偏置 耦合效应 耦合系数 
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