背栅效应

作品数：10被引量：11H指数：2
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背栅效应下氮化镓功率器件中的载流子缺陷能级与结构研究
《武汉大学学报(理学版)》2024年第6期763-768,共6页张梦蝶 季雯 曹茹月 姜俊松 尹玉莲 谭琨 赵长辉 张召富 郭宇铮 唐曦 
安徽省高校协同创新项目(GXXT-2023-001);安徽省自然科学基金(2308085QF212);武汉大学电子制造与封装集成湖北省重点实验室开放基金(EMPI2023008)。
通过实验表征和理论计算为氮化镓功率器件中的材料缺陷和背栅效应之间提供了物理联系。首先制备了硅基氮化镓高电子迁移率晶体管;然后采用电流瞬态方法研究了器件中背栅效应下的缺陷能级,基于时间常数谱和阿伦尼乌斯定律分析,确定了三...
关键词：背栅效应 电流瞬态方法 缺陷能级 第一性原理计算 
抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究被引量：1
《电子与封装》2019年第2期38-41,共4页李燕妃 朱少立 吴建伟 徐政 洪根深 
通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层...
关键词：高压SOINMOS 背栅效应 总剂量 抗辐射加固 
薄层SOI场pLDMOS击穿机理研究
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2015年第2期219-223,共5页邓晓燕 李庆 李娟 刘磊 
为了解决薄层SOI(silicon-on-insulator)场LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)击穿电压偏低,容易发生背栅穿通的问题,提出一种基于场注入技术的薄层SOI场pLDMOS(p-channel lateral double-diffused MOSFET)。通过建...
关键词：薄层SOI 场pLDMOS 场注入技术 背栅效应 击穿机理 
辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析被引量：1
《物理学报》2012年第20期323-329,共7页周昕杰 李蕾蕾 周毅 罗静 于宗光 
SOI研发中心基金(批准号:20106250XXX);宇航高可靠研发项目(批准号:XXX7116X);江苏省"333"科研项目(批准号:BRA2011115)资助的课题~~
基于部分耗尽型绝缘层上硅(SOI)器件的能带结构,从电荷堆积机理的电场因素入手,为改善辐照条件下背栅Si/SiO_2界面的电场分布,将半导体金属氧化物(MOS)器件和平板电容模型相结合,建立了背栅偏置模型.为验证模型,利用合金烧结法将背栅引...
关键词：绝缘层上硅器件 总剂量效应 背栅效应 背栅偏置 
背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响被引量：7
《物理学报》2007年第7期3990-3995,共6页乔明 张波 李肇基 方健 周贤达 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60436030);模拟集成电路国家重点实验室(批准号:9140C0903010604)资助的课题.~~
提出一种SOI基背栅体内场降低BGREBULF(back-gate reduced BULkfield)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数...
关键词：SOI 背栅 体内场降低 LDMOS 
GaAs MESFET中的背栅效应
《半导体情报》2001年第5期48-54,共7页郭惠 杨瑞霞 付浚 刘力锋 
随着集成电路集成度的提高 ,器件间距不断减小 ,在 Ga As MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应。由于器件间距越来越小 ,某一个器件的电极可能就是另一个器件的背栅 ,背栅效应影响了集成电路集成度的提高 ,因此背栅效应在...
关键词：背栅效应 MESFET 砷化镓 场效应晶体管 
半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应
《Journal of Semiconductors》2000年第1期64-68,共5页刘汝萍 夏冠群 赵建龙 翁建华 张美圣 郝幼申 
国家自然科学基金!(基金批准号:69676003);GaAs集成电路开放实验室资助项目
设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘ＧａＡｓ 衬底上制备ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ 器件．研究了这二种不同工艺制备的...
关键词：MESFET 背栅效应 砷化镓 半绝缘 
背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第12期1093-1097,共5页刘汝萍 赵建龙 夏冠群 吴剑萍 顾成余 詹琰 
国家自然科学基金!(批准号:69676003);GaAs集成电路开放实验室资助项目
研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．
关键词：MESFET 砷化镓 背栅效应 均匀性 
二维短沟道SOI-MOSFET器件的背栅效应
《中南矿冶学院学报》1992年第6期744-747,共4页周婷俐 
文内提出了一种正确的直流稳态二维短沟道SOI-MOSFET器件的数值模型。所选用的基本方程是:泊松方程、两种载流子的电流连续性方程和电流密度方程。这个模型从SOI器件的特殊结构出发,着重考虑了复合-产出率对器件内部参数的影响,分析了SO...
关键词：背栅效应 扭曲 产出率 SOI器件 
GaAs MESFET的背栅效应研究
《固体电子学研究与进展》1989年第2期164-171,共8页赵大德 
本文着重研究了分立GaAc耗尽型MESFET背栅效应的光敏性和尺寸效应。本文还采用一种实验方法——器件在光照下,观察栅压的调制作用,解释了背栅效应机理。不同栅压下,背栅效应的大小不同,零栅压下的背栅效应比负栅偏压下的背栅效应更小。...
关键词：GAAS MESFET 背栅效应 
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