郝幼申

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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：共平面波导单刀双掷开关微机械开关微电子机械平面波导更多>>
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发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应
《Journal of Semiconductors》2000年第1期64-68,共5页刘汝萍 夏冠群 赵建龙 翁建华 张美圣 郝幼申 
国家自然科学基金!(基金批准号:69676003);GaAs集成电路开放实验室资助项目
设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘ＧａＡｓ 衬底上制备ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ 器件．研究了这二种不同工艺制备的...
关键词：MESFET 背栅效应 砷化镓 半绝缘 
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