吴剑萍

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：砷化镓阈值电压均匀性MESFETTH背栅效应更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究
《固体电子学研究与进展》2001年第4期394-399,共6页刘汝萍 夏冠群 赵建龙 吴剑萍 詹琰 
国家自然科学基金 (批准号 :6 96 76 0 0 3);GaAs集成电路国家重点实验室资助项目;离子束开放实验室资助项目
分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET
关键词：金属-肖特基势垒场效应晶体管 阈值电压 砷化镓 
背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第12期1093-1097,共5页刘汝萍 赵建龙 夏冠群 吴剑萍 顾成余 詹琰 
国家自然科学基金!(批准号:69676003);GaAs集成电路开放实验室资助项目
研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．
关键词：MESFET 砷化镓 背栅效应 均匀性 
GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析被引量：1
《电子学报》1999年第5期62-65,共4页吴剑萍 夏冠群 赵建龙 刘汝萍 
本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法，并计算三种不同ＧａＡｓＩＣ对阈值对电压均匀性的要求，结果表明，ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低，σＶｔｈ为２１８ｍＶ，ＤＣＦＬ...
关键词：IC 阈值电压均匀性 PSPICE模拟 砷化镓 
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