背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响  

Effect of Back\|Gate on GaAs MESFET V_(th) Uniformity

作　　者：刘汝萍[1] 赵建龙[1] 夏冠群[1] 吴剑萍[1] 顾成余 詹琰[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第12期1093-1097,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金!(批准号:69676003);GaAs集成电路开放实验室资助项目

摘　　要：研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．The effect of back\|gating on V th uniformity of GaAs MESFET using planar selective ion implantation was investigated.The results show that the back\|gating has some effect on GaAs MESFET V th and it's uniformity,the absolute value of V th is smaller and its uniformity is bad for GaAs MESFET when back\|gate is applied a negative bias. EEACC:2560N

关 键 词：MESFET 砷化镓 背栅效应 均匀性 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]