周贤达

作品数：4被引量：12H指数：2
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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：LDMOS击穿电压击穿特性RESURF反相器更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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A High Voltage BCD Process Using Thin Epitaxial Technology被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1742-1747,共6页乔明 肖志强 方健 郑欣 周贤达 徐静 何忠波 段明伟 张波 李肇基 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60436030);国家"十一五"军事电子预研项目(批准号:51308010401)资助~~
A high voltage BCD process using thin epitaxial technology is developed for high voltage applications. Compared to conventional thick expitaxial technology, the thickness of the n-type epitaxial layer is reduced to 9...
关键词：BCD process thin epitaxial technology double RESURF LDMOS 
具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1428-1432,共5页乔明 周贤达 段明伟 方健 张波 李肇基 
国家自然科学基金(批准号:60436030);国家军事电子预研(批准号:51308010401)资助项目~~
对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低...
关键词：高压互连线 多区 双RESURF LDMOS 击穿电压 
背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响被引量：7
《物理学报》2007年第7期3990-3995,共6页乔明 张波 李肇基 方健 周贤达 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60436030);模拟集成电路国家重点实验室(批准号:9140C0903010604)资助的课题.~~
提出一种SOI基背栅体内场降低BGREBULF(back-gate reduced BULkfield)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数...
关键词：SOI 背栅 体内场降低 LDMOS 
非均匀寿命分布电导调制基区中非平衡载流子的WKB解被引量：1
《物理学报》2006年第7期3360-3362,共3页方健 林薇 周贤达 李肇基 
针对非均匀寿命分布情况,建立了描述电导调制基区的双极输运方程,并利用Liouville_Green变换获得该方程在不同边界条件下的WKB解.其结果可用于局域寿命控制下电导调制器件的建模分析.
关键词：寿命控制 电导调制 非平衡载流子 WKB 
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