段明伟

作品数：2被引量：5H指数：1
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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：LDMOSRESURF击穿特性击穿电压EPITAXIAL更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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A High Voltage BCD Process Using Thin Epitaxial Technology被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1742-1747,共6页乔明 肖志强 方健 郑欣 周贤达 徐静 何忠波 段明伟 张波 李肇基 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60436030);国家"十一五"军事电子预研项目(批准号:51308010401)资助~~
A high voltage BCD process using thin epitaxial technology is developed for high voltage applications. Compared to conventional thick expitaxial technology, the thickness of the n-type epitaxial layer is reduced to 9...
关键词：BCD process thin epitaxial technology double RESURF LDMOS 
具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1428-1432,共5页乔明 周贤达 段明伟 方健 张波 李肇基 
国家自然科学基金(批准号:60436030);国家军事电子预研(批准号:51308010401)资助项目~~
对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低...
关键词：高压互连线 多区 双RESURF LDMOS 击穿电压 
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