二维短沟道SOI-MOSFET器件的背栅效应  

BACK-GATE EFFECT OF TWO-DIMENSIONAl SHORT-CHANNEL SOI DEVICES

作　　者：周婷俐[1] 

机构地区：[1]中国矿冶学院计算机科学系

出　　处：《中南矿冶学院学报》1992年第6期744-747,共4页

摘　　要：文内提出了一种正确的直流稳态二维短沟道SOI-MOSFET器件的数值模型。所选用的基本方程是:泊松方程、两种载流子的电流连续性方程和电流密度方程。这个模型从SOI器件的特殊结构出发,着重考虑了复合-产出率对器件内部参数的影响,分析了SOI-MOSFET器件的背栅效应以及I-V特性的扭曲(Kink)效应产生的机理。An exact number simulator for steady-state two-dimensional short-channelSOI devices is presented. Basic equations are Poinsson's equation, the current con-tinuity equations and current density equations for two kinds of carriers. Thesimulator, considering the special structure of SOI devices, studies the influencesof recombination-generation rate on parameters of internal devices and analyzesthe back-gate effect and the principle of Kink effect of Ⅰ-Ⅴ characteristics.

关 键 词：背栅效应 扭曲 产出率 SOI器件 

分 类 号：TP21[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]