GaAs MESFET中的背栅效应  

Backgating effect in GaAs MESFETs

作　　者：郭惠[1] 杨瑞霞[1] 付浚[1] 刘力锋[1] 

机构地区：[1]河北工业大学电气信息学院,天津300130

出　　处：《半导体情报》2001年第5期48-54,共7页Semiconductor Information

摘　　要：随着集成电路集成度的提高 ,器件间距不断减小 ,在 Ga As MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应。由于器件间距越来越小 ,某一个器件的电极可能就是另一个器件的背栅 ,背栅效应影响了集成电路集成度的提高 ,因此背栅效应在国内外引起了重视。As the advance in integration level of GaAs ICs,GaAs MESFETs can exhibit a pheno mena that the drain current decreases when a negative voltage is applied to the substrate.The phenomena is termed backgating effect.The backgating effect impedes the advance in integration level of GaAs ICs.So backgating effect receives considerable attention.This paper introduces the backgating effect and its origin.

关 键 词：背栅效应 MESFET 砷化镓 场效应晶体管 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]