付浚

作品数:6被引量:1H指数:1
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供职机构:河北工业大学更多>>
发文主题:砷化镓GAAS材料特性光导开关场效应晶体管更多>>
发文领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊:《半导体杂志》《河北工业大学学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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GaAs MESFET中的背栅效应
《半导体情报》2001年第5期48-54,共7页郭惠 杨瑞霞 付浚 刘力锋 
随着集成电路集成度的提高 ,器件间距不断减小 ,在 Ga As MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应。由于器件间距越来越小 ,某一个器件的电极可能就是另一个器件的背栅 ,背栅效应影响了集成电路集成度的提高 ,因此背栅效应在...
关键词:背栅效应 MESFET 砷化镓 场效应晶体管 
杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响
《半导体杂志》2000年第4期5-11,共7页杨瑞霞 付浚 于明 于海霞 张富强 
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,存在电势波动的情况下 ,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置。
关键词:非掺杂半绝缘LEC 霍耳测量 砷化镓 杂质 缺陷 
双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性
《河北工业大学学报》2000年第6期12-16,共5页张富强 杨瑞霞 付浚 
河北省自然科学基金资助项目!(5970437)
对双侧金属接触半绝缘GaAs(MSM)结构的电特性进行了模拟计算,包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布,在此基础上分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对这种结构的I-V特...
关键词:空间电荷区 电子注入接触 空穴注入接触 驰豫半导体 砷化镓 电传输特性 
化学方法实现GaAs表面Cu的沉积被引量:1
《河北工业大学学报》2000年第4期21-23,共3页于海霞 付浚 杨瑞霞 袁炳辉 
河北省自然科学基金!(579043)
用一种简单的化学方法在LEC GaAs晶体表面实现了Cu的沉积,沉积的Cu层均匀性、牢固性良好,厚度达到无限源扩散的要求.本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺,并对化学镀铜的机理进行了讨论。
关键词: 砷化镓 化学方法 化学镀铜 化学沉积法 
GaAs中碳受主局域振动模积分吸收的温度关系
《固体电子学研究与进展》2000年第3期324-329,共6页杨瑞霞 李光平 付浚 陈国鹰 孙以才 
河北省自然科学基金资助项目!(编号 195 0 5 1);中国科学院半导体材料实验室资助项目
Ga As中碳 (C)受主局域振动模 (LVM)积分吸收的温度关系是一个受到广泛关注和研究的问题。但是 ,不同研究者得到的定量研究结果具有很大差异。迄今对导致这种差异的原因及积分吸收随温度变化的机理尚不完全清楚。本研究表明 ,二者均与 ...
关键词:碳受主 局域振动模 激发态 砷化镓 
GaAs∶SiCu光导开关的计算机模拟
《河北工业大学学报》2000年第3期40-44,共5页于海霞 杨瑞霞 付浚 
河北省自然科学基金!597043;中国科学院半导体材料科学研究室资助
对掺Si补偿Cu的GaAs(GaAs∶Si∶Cu)材料的光控开关特性进行了计算机模拟,结果表明Cu与Si的浓度比(NCu/NSi)和激光通量是影响开关特性的两个重要因素,NCu/NSi越大,电导淬灭时间越短;光通量越大,导通态电导率越大,开关闭合、...
关键词:光导开关 砷化镓  计算机模拟  半导体 
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