于海霞

作品数：5被引量：3H指数：1
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杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响
《半导体杂志》2000年第4期5-11,共7页杨瑞霞 付浚 于明 于海霞 张富强 
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,存在电势波动的情况下 ,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置。
关键词：非掺杂半绝缘LEC 霍耳测量 砷化镓 杂质 缺陷 
化学方法实现GaAs表面Cu的沉积被引量：1
《河北工业大学学报》2000年第4期21-23,共3页于海霞 付浚 杨瑞霞 袁炳辉 
河北省自然科学基金!(579043)
用一种简单的化学方法在ＬＥＣ　ＧａＡｓ晶体表面实现了Ｃｕ的沉积，沉积的Ｃｕ层均匀性、牢固性良好，厚度达到无限源扩散的要求．本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺，并对化学镀铜的机理进行了讨论。
关键词：铜 砷化镓 化学方法 化学镀铜 化学沉积法 
GaAs∶SiCu光导开关的计算机模拟
《河北工业大学学报》2000年第3期40-44,共5页于海霞 杨瑞霞 付浚 
河北省自然科学基金!597043;中国科学院半导体材料科学研究室资助
对掺Si补偿Cu的GaAs（GaAs∶Si∶Cu）材料的光控开关特性进行了计算机模拟，结果表明Cu与Si的浓度比（NCu/NSi）和激光通量是影响开关特性的两个重要因素，NCu／NSi越大，电导淬灭时间越短；光通量越大，导通态电导率越大，开关闭合、...
关键词：光导开关 砷化镓 铜 计算机模拟 硅 半导体 
未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系
《河北工业大学学报》1999年第5期59-63,共5页贾晓华 杨瑞霞 于海霞 张富强 
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与标准ＬＥＣＳＩＧａＡｓ样品有明显差别．这种差别可能是...
关键词：EL2 费米能级 砷化镓 半绝缘 缺陷 电离率 温度 
砷化镓光控半导体开关被引量：2
《半导体杂志》1999年第2期40-45,共6页于海霞 杨瑞霞 付浚 
光控半导体开关在脉冲功率等方面具有广泛的应用前景，越来越受到人们的重视。本文对光控半导体开关进行了简要介绍，包括ＧａＡｓ∶Ｓｉ∶Ｃｕ开关的原理和应用；ＧａＡｓ∶Ｓｉ∶Ｃｕ基本材料的制备；开关过程中的锁定现象及其机理；...
关键词：光导开关 砷化镓 锁定 光控半导体开关 
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