DSOI结构开口位置对SOICMOS器件高温性能的影响  

作　　者：张新 刘梦新[2] 

机构地区：[1]华东光电集成器件研究所,蚌埠233042 [2]西安理工大学,西安710048

出　　处：《集成电路通讯》2010年第4期27-29,共3页

摘　　要：在沟道下方的隐埋氧化层中开一个窗口形成DSOI结构，空穴可以通过沟道区与衬底的电耦合传递出去，同时器件内部产生的热量也可以很容易通过沟道下方的硅通道泄散出去。本文重点研究埋氧开口位置对器件性能特别是高温性能的影响，并得出了相关的结论。

关 键 词：DSOI 隐埋氧化层 窗口 位置 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]