江波

作品数：3被引量：5H指数：1
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：MOSFETDSOISOIMOSFETSLOCAL更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟
《Journal of Semiconductors》2004年第5期547-551,共5页郑期彤 张大伟 江波 田立林 余志平 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 2 )~~
在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2...
关键词：源漏隧穿 DG MOSFET 弹道输运 器件模拟 
Drain and Source on Insulator MOSFETs Fabricated by Local SIMOX Technology被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第6期592-597,共6页何平 江波 林曦 刘理天 田立林 李志坚 董业明 陈猛 王曦 
国家自然科学基金 (批准号 :5 9995 5 5 0 -1);国家重点基础研究专项经费 (编号 :G2 0 0 0 0 365 0 1)资助项目~~
To overcome the floating-body effect and self-heating effect of SOI devices,the drain and source on insulator (DSOI) structure is fabricated and tested.The low dose developed recently and low energy local SIMOX techno...
关键词：SIMOX MOS devices silicon on insulator technology floating-body effect 
一种结构调整后的DSOI器件被引量：5
《Journal of Semiconductors》2002年第9期966-971,共6页江波 何平 田立林 林羲 
国家重点基础研究专项经费资助项目~~
提出一种改进的 DSOI结构 ,在保留 DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上 ,能提高电路速度和驱动能力等器件性能 .采用不完全除去沟道下绝缘层的办法 ,使 DSOI器件的结构更接近 SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟 ,结果证明...
关键词：SOI DSOI MOSFET 器件结构 模拟 
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