林敏

作品数：9被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：单粒子瞬态脉冲单粒子脉冲波形单粒子效应脉冲更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子技术应用》《微电子学》《半导体技术》《西安交通大学学报》更多>>
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0.13μm标准CMOS工艺的高可靠流水线模数转换器
《国防科技大学学报》2018年第6期165-170,共6页周宗坤 黄水根 董业民 林敏 
中科院重点部署基金资助项目(KGFZD-135-16-015)
针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0. 13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50 MS/s采样率的流水线模数转换器。通过采用无采样保持电路以及抗辐射电路...
关键词：流水线模数转换器 无采样保持电路 总剂量辐射效应 版图加固技术 
一种具备自动增益控制功能的宽带正交解调器被引量：3
《西安交通大学学报》2017年第12期22-27,48,共7页黄水根 林敏 陈静 罗杰馨 杨根庆 
国家自然科学基金资助项目(61404151;61574153)
为了实现无线电接收机对多个通信标准的兼容和对信号链路增益的自动调节,提出了一种适用于宽带(0.8~2.7GHz)接收机并具备自动增益控制(AGC)功能的正交解调器。该解调器的信号主路上采用一个宽带设计的射频可变增益放大器和一个中频可变...
关键词：正交解调器 无线接收机 宽带 自动增益控制 吉尔伯特单元 
一种用于射频接收机的模拟基带电路被引量：1
《微电子学》2017年第4期542-547,共6页王红敏 林敏 王若愚 
设计了一种无线传感网射频接收机中的基带电路,包括滤波器和可变增益放大器(VGA)。滤波器采用5阶切比雪夫型有源RC结构,带宽可调,具有自动调谐功能,能适应制造工艺与环境条件的变化。VGA由2阶放大器与1阶缓冲器组成,每阶放大器拥有一个D...
关键词：接收机 复数滤波器 可变增益放大器 直流失调消除 
0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证被引量：1
《半导体技术》2017年第6期469-474,共6页卢仕龙 刘汝萍 林敏 俞跃辉 董业民 
中科院重点部署项目(KGFZD-135-16-015)
基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的...
关键词：绝缘体上硅(SOI) 标准单元库 测试芯片 总剂量辐射 现场可编程门阵列(FPGA) 
基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计被引量：1
《半导体技术》2017年第3期178-183,共6页齐文正 林敏 杨根庆 董业民 黄水根 
中国科学院重点部署项目(KGFZD-135-16-015)
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构。利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 无线保真(WiFi) 功率放大器(PA) 线性度 共源共栅 
电池监测芯片中稳压模块的设计被引量：1
《电子技术应用》2016年第6期132-135,共4页张萌 林敏 程新红 李新昌 吴忠昊 
国家极大规模集成电路制造装备及成套工艺重大专项资助项目(2012ZX02503-003)
设计了一款应用于电池监测芯片内的稳压模块,为芯片内部电路提供模拟电源电压与数字电源电压。通过带隙电路产生稳定的模拟电源电压,数字电源电压则通过栅源电压差叠加的方式获得。采用XFAB 0.35μm工艺模型仿真表明,在负载电流4 mA,外...
关键词：电池监测 稳压模块 上电复位 过流保护 过温保护 
抗单粒子翻转的双端口SRAM定时刷新机制研究被引量：2
《微电子学》2015年第4期512-515,520,共5页陈晨 陈强 林敏 杨根庆 
在空间辐射环境下,存储单元对单粒子翻转的敏感性日益增强。通过比较SRAM的单粒子翻转效应相关加固技术,在传统EDAC技术的基础上,增加少量硬件模块,有效利用双端口SRAM的端口资源,提出了一种新的周期可控定时刷新机制,实现了对存储单元...
关键词：双端口SRAM 定时刷新 EDAC 单粒子翻转 辐射加固 
0．13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第3期273-279,共7页吕灵娟 刘汝萍 林敏 杨根庆 邹世昌 
基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单...
关键词：0 13μm抗辐射绝缘体上硅互补金属氧化物半导体 标准单元库 建库流程 测试芯片 
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