双端口SRAM

作品数：20被引量：17H指数：2
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相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
相关作者：何伟伟陈静罗杰馨王曦张咏梅更多>>
相关机构：上海华力集成电路制造有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院上海交通大学更多>>
相关期刊：《组合机床与自动化加工技术》《微电子学》《微电子学与计算机》《电子元器件应用》更多>>
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基于双MCU与双端口SRAM的高速传感系统设计被引量：1
《武汉轻工大学学报》2023年第5期114-120,共7页宋玉琢 徐建 刘文林 魏文菲 
随着半导体设备的广泛使用,对传感器测量系统的需求也大大增加,传统的传感器测量系统将MCU(微控制单元)与传感器组合使用,用于实时采集、处理和分析数据,但是受限于存储容量、处理速度、测量精度等无法满足高速实时处理数据的需求。基于...
关键词：微控制单元(MCU) 双端口静态随机存取存储器(SRAM) 高速传感系统 实时性 
双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计被引量：2
《半导体技术》2023年第7期617-623,共7页李学瑞 秋小强 刘兴辉 
辽宁省自然科学基金资助项目(2021-MS-148)。
针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平...
关键词：双端口静态随机存储器(SRAM) 位线电平复制 写干扰 控制逻辑 数据写入时间 
大容量同步双端口SRAM的仿真方法被引量：1
《电子与封装》2016年第12期35-39,共5页周云波 李晓容 
根据大容量同步双端口SRAM(静态随机存储器)功能多、时序严格、存储单元数目巨大的特点,提出了一套用于功能复杂的大容量SRAM仿真验证的激励生成和后仿真验证方法。该方法不仅克服了Hsim仿真激励文件编写耗时、不易修改的缺点,而且解决...
关键词：双端口同步SRAM 激励文件 层次化 关键路径 
40nm工艺32x32b双端口SRAM的设计与优化被引量：1
《电子技术与软件工程》2016年第5期112-113,共2页唐骏 
这篇文章主要论述了在具体的工程实践中,由于6TSRAM在40nm工艺下的集成电路设计中表现出的性能和功耗均达不到设计要求,而在物理设计当中由寄存器组成的存储体的面积和功耗更难以胜任,所以需要定制设计一款32X32双端口8TSRAM。在先进工...
关键词：SRAM 定制设计 性能 功耗 
抗单粒子翻转的双端口SRAM定时刷新机制研究被引量：2
《微电子学》2015年第4期512-515,520,共5页陈晨 陈强 林敏 杨根庆 
在空间辐射环境下,存储单元对单粒子翻转的敏感性日益增强。通过比较SRAM的单粒子翻转效应相关加固技术,在传统EDAC技术的基础上,增加少量硬件模块,有效利用双端口SRAM的端口资源,提出了一种新的周期可控定时刷新机制,实现了对存储单元...
关键词：双端口SRAM 定时刷新 EDAC 单粒子翻转 辐射加固 
字线脉冲控制解决异步双端口SRAM中的写干扰被引量：1
《微电子学与计算机》2015年第3期90-93,共4页杨琼华 蒋江 
为了避免双端口SRAM中由写干扰造成的数据写入困难,利用写干扰的时钟偏移相关性提出了一种新的字线脉冲控制技术,确定了写干扰下成功写入数据所需的最小写字线脉宽,并设计了时钟沿检测电路来解决写操作造成的写干扰.采用TSN28HPM工艺,抽...
关键词：双端口SRAM 写干扰 字线脉冲控制 阈值电压波动 
基于双端口SRAM的网闸设计
《电脑知识与技术》2010年第4X期2835-2836,共2页李洪波 应一凡 朱献 
物理隔离网闸是一种应用级的安全隔离系统,主要用来解决网络安全所带来的问题。基于双端口SRAM的物理网闸隔离系统采用双端口SRAM作为数据交换区,内外网处理单元通过设备驱动接口实现交换区数据的同步访问。该系统具备数据交换快,安全...
关键词：物理网闸 双端口SRAM LINUX 设备驱动 
一种高性能1024点fft算法的电路设计被引量：1
《微计算机信息》2009年第8期303-304,234,共3页张锦红 叶甜春 徐建华 
本文针对高速大规模FFT处理器的需求提出了一种基-4按时间抽取的双通道FFT算法的硬件结构,采用4块小容量双端口SRAM代替一块大容量SRAM的设计思路以及多级流水结构。此结构能同时从四个存储器中并行存取蝶形运算的4个操作数和4个中间结...
关键词：基-4FFT CORDIC 双端口SRAM 双通道 
IDT扩展用于高端手机的灵活、低功耗、异步双端口SRAM产品组合
《电子元器件应用》2009年第3期85-85,共1页
IDT公司日前推出用于高端手机的灵活、低功耗、异步双端口新系列器件。作为处理器之间的桥接，新的IDT器件有利于手机设计人员最大限度降低设备复杂性．并通过增加的设计灵活性加快上市时间。此外．凭借增加的电源平面隔离功能，这些器...
关键词：双端口SRAM IDT公司 高端手机 低功耗 产品组合 异步 设计人员 上市时间 
IDT扩展灵活、低功耗、异步双端口SRAM产品组合
《中国电子商情》2008年第12期86-86,共1页
IDT公司推出用于高端手机的业界领先的灵活、低功耗、异步双端口新系列器件。作为处理器之间的桥接，新的IDT器件有利于手机设计人员最大限度降低设备复杂性，并通过增加的设计灵活性加快上市时间。此外，凭借增加的电源平面隔离功能，...
关键词：功耗 产品组合 SRAM 端口 异步 设计人员 IDT公司 上市时间 
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