40nm工艺32x32b双端口SRAM的设计与优化  

作　　者：唐骏[1] 

机构地区：[1]国防科学技术大学计算机学院,湖南省长沙市410073

出　　处：《电子技术与软件工程》2016年第5期112-113,共2页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：这篇文章主要论述了在具体的工程实践中,由于6TSRAM在40nm工艺下的集成电路设计中表现出的性能和功耗均达不到设计要求,而在物理设计当中由寄存器组成的存储体的面积和功耗更难以胜任,所以需要定制设计一款32X32双端口8TSRAM。在先进工艺下8TSRAM所表现的性能和功耗均胜于前两者,在FT-X的芯片上运用该结构有效优化了时序和功耗。

关 键 词：SRAM 定制设计 性能 功耗 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]