唐骏

作品数：1被引量：1H指数：1
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40nm工艺32x32b双端口SRAM的设计与优化被引量：1
《电子技术与软件工程》2016年第5期112-113,共2页唐骏 
这篇文章主要论述了在具体的工程实践中,由于6TSRAM在40nm工艺下的集成电路设计中表现出的性能和功耗均达不到设计要求,而在物理设计当中由寄存器组成的存储体的面积和功耗更难以胜任,所以需要定制设计一款32X32双端口8TSRAM。在先进工...
关键词：SRAM 定制设计 性能 功耗 
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