0．13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现  

Flow Research and Realization of Radiation Hardened 0.13μm SOI CMOS Standard Cell Library

作　　者：吕灵娟[1,2] 刘汝萍[1] 林敏[1] 杨根庆[1] 邹世昌[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]中国科学院大学,北京100049

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第3期273-279,共7页Research & Progress of SSE

摘　　要：基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。Based on 0.13 μm partially depleted silicon on insulator complementary metal-ox- ide-semiconductor transistor （SOI CMOS） technology, a complete set of 0.13 μm radiation hard- ened SOI CMOS standard cell library was developed. In view of the radiation effect of deep sub- micron SOI devices, the radiation hardened design is conducted on the circuit and layout level and has achieved good anti-radiation result. In-depth introduction of the library building flow of the SOI standard cell is given, and Hspice circuit simulation is conducted to verify the effectiveness of radiation hardened DFF and performance overhead between different circuits is compared. The test chip is designed to validate 0.13 μm radiation hardened SOI CMOS standard cell library.

关 键 词：0 13μm抗辐射绝缘体上硅互补金属氧化物半导体 标准单元库 建库流程 测试芯片 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TN432