云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 光接收机前端

光接收机前端: 作品数：21被引量：22H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：叶玉堂焦世龙陈堂胜冯欧李拂晓更多>>; 相关机构：东南大学电子科技大学北京邮电大学南京电子器件研究所更多>>; 相关期刊：《微电子学与计算机》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《中国矿业大学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

基于45 nm SOI CMOS的56 Gbit/s PAM-4光接收机前端设计: 《微电子学与计算机》2024年第1期106-112,共7页张文嘉林福江; 在光接收电路设计中,光电二极管的寄生电容以及大的输入电阻会导致接收机带宽下降,造成严重的符号间干扰(Inter-Symbol Interference,ISI)。噪声性能是高速跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)最重要的指标之一,跨阻值决定系统的...; 关键词：PAM-4 光接收机前端跨阻放大器可变增益放大器 45 nm SOI CMOS

25~28 Gbit/s CMOS高灵敏度光接收机电路设计: 《微电子学》2023年第4期581-587,共7页金高哲张长春袁丰张瑛张翼; 国家自然科学基金资助项目(62174090);毫米波国家重点实验室开放课题(K202325); 基于65 nm CMOS工艺设计了一种25~28 Gbit/s具有自适应均衡和时钟数据恢复功能的光接收机电路。光接收前端采用低带宽设计,以优化接收机的灵敏度;采用判决反馈均衡器,以恢复低带宽前端引入的码间干扰。为了适应不同速率和工艺角引入的...; 关键词：光接收机前端判决反馈均衡器时钟数据恢复电路无参考时钟嵌入式鉴相器

一种基于90 nm SiGe BiCMOS工艺的4×112 Gbit/s PAM-4跨阻放大器: 《微电子学》2023年第2期215-220,共6页陈哲; 国家工信部工业强基项目(0714-EMTC-02-00869)。; 基于90 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高速(4×112 Gbit/s)四阶脉冲幅度调制跨阻放大器电路。为了兼顾高带宽和低噪声,采用了并联反馈架构的输入级电路。提出一种新颖的基于双吉尔伯特单元的可变增益放大器结构来适应宽动态范围的输入...; 关键词：跨阻放大器光接收机前端四阶脉冲幅度调制 400G以太网

56 Gbit/s PAM4 CMOS光接收机前端电路设计被引量：1: 《微电子学》2022年第1期52-57,共6页张宇张长春姚俊杰袁丰; 国家自然科学基金资助项目(61604082);江苏省“六大人才高峰”高层次人才资助项目(XYDXX-080)。; 基于65 nm CMOS工艺设计了一种56 Gbit/s PAM4光接收机前端放大电路。前级为差分形式的跨阻放大器,采用共栅前馈型结构降低输入阻抗,并在输入端串联电感,有效提高了跨阻放大器的带宽和灵敏度。后级放大器采用具有线性增益控制的多级级...; 关键词：PAM4 光接收机前端跨阻放大器自动增益控制可变增益放大器

2.5 Gb/s宽动态范围光接收机前端放大电路设计被引量：2: 《半导体光电》2012年第6期863-865,874,共4页杨纯璞张世林毛陆虹陈燕; 国家自然科学基金项目(61036002); 基于UMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种2Gb/s传输速率的宽动态范围光接收机前端放大电路。采用对数放大器来增大接收机的输入动态范围,前置放大器采用差分共源跨阻放大器,并使用有源电感做负载来增大带宽。实验结果表明:该接收机前端电...; 关键词：光接收机动态范围对数放大器跨阻放大器 CMOS

基于0.18μm CMOS工艺2.5Gb/s宽动态范围光接收机前端放大电路设计被引量：1: 《微电子学与计算机》2011年第12期84-88,共5页韩良孙骏毅张颖; 基于0.18μm CMOS工艺设计了适用于2.5Gb/s传输速率的宽动态范围光接收机前端放大电路(包括前置放大器和限幅放大器).前置放大器采用了RGC输入级的跨阻放大器,并且应用了消直流电路和自动增益控制电路扩展输入动态范围.限幅放大器采用...; 关键词：跨阻放大器限幅放大器宽动态范围消直流电路自动增益控制

光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制被引量：3: 《光学学报》2010年第3期777-781,共5页范超陈堂胜杨立杰冯欧焦世龙吴云峰叶玉堂; 单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(9140C1406020708)资助课题; 基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟...; 关键词：集成光学金属-半导体-金属光探测器电流模跨阻放大器限幅放大器

用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT被引量：2: 《光电子．激光》2009年第1期1-4,共4页李轶群黄辉吕吉贺苗昂吴强蔡世伟黄永清任晓敏; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901);国家"863"计划资助项目(2006AA03Z416);国际科技合作重点项目计划资助项目(2006DFB11110);国家自然科学基金资助项目(60576018);教育部"新世纪人才支持计划"资助项目(NCET-05-0111);北京市教育委员会共建资助项目(XK100130637);北京市"科技新星计划"资助项目(2006A46); 实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功制备出了InP/InGaAsHBT,器件的电流截...; 关键词：异质外延低温InP缓冲层异质结双极晶体管(HBT) 集成光接收机前端

5Gb／s单片集成光接收机前端模拟仿真及研制: 《光电工程》2008年第11期29-32,72,共5页范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂; 单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(9140C1406020708); 基于0.5μmGaAs PHEMT标准工艺研制了850nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器。论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性。光...; 关键词：光电集成电路 PHEMT PIN 跨阻放大器 ATLAS

短波长OEIC光接收机前端设计及制作被引量：1: 《微电子学》2008年第5期713-717,共5页范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂; 单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助项目(9140C1406020708); 基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带...; 关键词：光电集成电路光接收机前端 PIN 金属-半导体-金属跨阻放大器分布参数放大器

光接收机前端