扩展电阻

作品数：33被引量：12H指数：2
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低电容TVS二极管外延技术研究被引量：4
《集成电路应用》2017年第6期60-63,共4页黄玉梅 史超 王海红 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(15RJ0224)
低电容瞬态电压抑制器(TVS)是用来保护高频电路电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,通过在重掺杂的P型掺硼衬底上生长近似本征的高阻N型外延层形成低电容导引二极管。高阻N型外延生长过程中的自掺杂现象特别严重,是产品量产面临的重大挑战...
关键词：TVS 自掺杂 高阻外延 扩展电阻剖面分析(SRP) 过渡区 
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》2010年第1期53-62,共10页
关键词：半导体技术 发光二极管 二次缺陷 器件性能 短沟效应 扩展电阻 量子点 提取效率 出光效率 击穿电压 
IC生产线上离子注入剂量测试方法
《计量技术》2010年第1期36-39,共4页杨富宝 金红杰 陈荣 程宏亮 
在IC生产线上，对离子注入剂量的监控非常重要。目前，离子注入剂量的测试方法有很多种，它们在测试原理、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异。本文重点介绍了MOSC—V法、扩展电阻探针（SRP）法和热波（TW...
关键词：离子注入剂量 MOS C—V法 扩展电阻探针 热波法 
二探针扩展电阻分布法在IC芯片制造中的应用
《半导体技术》2009年第7期684-688,共5页金红杰 郎清华 
论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据。二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻。总结了为提高测试准确性,在...
关键词：二探针 平式针尖无凹痕模型 多层理论 扩展电阻 
扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析被引量：1
《半导体技术》2008年第10期905-908,共4页张志勤 李胜华 张秀丽 
扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度。实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样品研磨角度不等于垫块角度造成的...
关键词：扩展电阻 硅外延 厚度误差 过渡区 
N^+和N_2^+离子注入硅的材料性能研究
《大连大学学报》2005年第2期14-16,57,共4页王国全 解英艳 
本文应用X射线衍射方法、红外光谱分析方法、扩展电阻测量方法研究了N+和N+2注入硅的应变、损伤度、扩展电阻率随注入剂量、注入深度变化的规律,形成Si3N4非晶层的条件.建立了多层的物理模型和胁变函数的数学模型,利用计算机和曲线拟合...
关键词：损伤层 扩展电阻 N^+ N2^+ 离子注入硅 材料性能 红外光谱分析 胁变函数 
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》2003年第5期41-51,共11页
关键词：电致发光 半导体技术 半导体材料 电子束光刻 光致发光 扩展电阻 压印 短沟效应 激子 基区 
半导体放电管和扩展电阻技术在放电管开发中的应用
《集成电路应用》2003年第10期41-44,共4页吴晓虹 朱丽娜 闵靖 
半导体放电管是新一代抗电浪涌保护器件。本文概略地叙述了放电管的结构、特性和主要的电参数。分析了这些电参数与硅片的物理参数以及扩散的结深和掺杂浓度分布的关系。同时介绍了扩展电阻探针在半导体放电管的开发、制管工艺的监控和...
关键词：半导体放电管 扩展电阻 浪涌保护器件 瞬变电压 电参数 电阻率 掺杂浓度分布 
薄膜SOI扩展电阻温度传感器
《仪表技术与传感器》2003年第5期3-5,共3页李斌 刘百勇 郑学仁 黎沛涛 
重点阐述了在薄膜SOI上制成的扩展电阻温度(SRT)传感器的阻温特性(R-T).利用器件二维模拟软件PISCES研究了最高工作温度(Tmax)的Si膜厚度效应,模拟结果表明,在相同的衬底掺杂浓度下,Si膜厚度越薄,器件的Tmax越高.实验结果也验证了这一点...
关键词：扩展电阻 温度传感器 阻温特性 薄膜SOI SRT 
半导体器件
《电子科技文摘》2003年第4期20-20,共1页
Y2002-63306-541 0307160扫描扩展电阻显微术检测 InP 基器件可靠2维载流子轮廓=Reliable 2-D carrier profiling with SSRM on InP-based devices[会,英]/Xu,M.W.& Hantschel,T.//2001 IEEE International Conference on Indiurn Phos-...
关键词：半导体器件 扩展电阻 profiling 显微术 会议录 微波脉冲 亚毫米 光电子器件 电子产品可靠性 单片集成电路 
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