张秀丽

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：过渡区硅外延扩展电阻误差分析外延片更多>>
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扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析被引量：1
《半导体技术》2008年第10期905-908,共4页张志勤 李胜华 张秀丽 
扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度。实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样品研磨角度不等于垫块角度造成的...
关键词：扩展电阻 硅外延 厚度误差 过渡区 
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