扩展电阻探针

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IC生产线上离子注入剂量测试方法
《计量技术》2010年第1期36-39,共4页杨富宝 金红杰 陈荣 程宏亮 
在IC生产线上，对离子注入剂量的监控非常重要。目前，离子注入剂量的测试方法有很多种，它们在测试原理、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异。本文重点介绍了MOSC—V法、扩展电阻探针（SRP）法和热波（TW...
关键词：离子注入剂量 MOS C—V法 扩展电阻探针 热波法 
用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第3期290-297,共8页杨恒青 颜佳骅 陈俭 曹永明 
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径...
关键词：扩展电阻探针技术 硅 深度分布 分辨率 二次离子质谱 硼离子注入 
扩展电阻探针在器件开发和失效分析中的应用被引量：1
《上海计量测试》1999年第6期45-46,共2页吴晓虹 闵靖 
本文介绍了使用扩展电阻探针，通过测试硅外延片、器件芯片和集成电路特定区域的纵向杂质分布，从而用以器件开发、工艺调控和失效分析。
关键词：半导体器件 失效分析 器件开发 扩展电阻探针 
扩展电阻探针在材料测试和器件工艺中的应用被引量：1
《上海计量测试》1999年第5期37-38,共2页吴晓虹 闵靖 
本文介绍了使用扩展电阻探针，通过测试材料的电阻率分布和工艺芯片的杂质浓度分布，从而用以材料和器件工艺参数的测试分析。
关键词：电阻探针 材料测试 工艺 电阻率 半导体器件 
扩展电阻探针在硅材料研究上的应用
《半导体技术》1996年第6期35-37,共3页李冀东 施锦行 佘思明 
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。
关键词：扩展电阻探针 硅 电阻率 氧施主 
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