杨恒青

作品数:6被引量:3H指数:1
导出分析报告
供职机构:复旦大学材料科学系更多>>
发文主题:分辨率二次离子质谱扩展电阻探针更多>>
发文领域:电子电信电气工程理学更多>>
发文期刊:《物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《复旦学报(自然科学版)》更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
半导体外延掺杂的深度分布——“修正的”余误差分布被引量:1
《复旦学报(自然科学版)》2008年第1期8-13,共6页杨恒青 宋毅锋 
在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的扩散系数较大,半导体在外延生长过程中,杂质还有较明显的扩散,也会扩散到衬底中去.杂质浓度随深度分布不...
关键词:材料科学 半导体外延 杂质扩散 杂质浓度深度分布 
用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算被引量:1
《Journal of Semiconductors》2003年第3期290-297,共8页杨恒青 颜佳骅 陈俭 曹永明 
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径...
关键词:扩展电阻探针技术  深度分布 分辨率 二次离子质谱 硼离子注入 
晶体管发射结正向电容的测量及分析被引量:1
《固体电子学研究与进展》2003年第1期96-102,共7页周正刚 杨恒青 
晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响 ,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题。文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容 ,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化。文中还对大圆片测...
关键词:电容 测量 结型晶体管 发射结 势垒电容 正向渡越时间 
SiO2中Na及Si中B的SIMS分析
《真空科学与技术》1998年第A12期121-124,共4页杨恒青 张敏如 
SIMS对二氧化硅中钠离子有相当高的检测灵敏度,但其定量分析较为困难。在二氧化硅的SIMS图谱中,由一二氧化硅中的Na离子的计数和与“SiO2”计数和之比正比于二氧化硅中的Na离子的平均体密度,因此中采用做过BT(温...
关键词:二氧化硅 钠沾污 MOS电容 定标 SIMS  硼杂质 
双面抛光单晶硅片少子扩散长度的测量
《固体电子学研究与进展》1992年第1期52-57,共6页杨恒青 张焕林 顾春林 
本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求出少子扩散长度和背面表面复合速度。本文讨论了该方法的测量...
关键词:测量 光电压法 少子扩散长度 硅片 
GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长
《物理学报》1990年第12期1959-1964,共6页宗祥福 邱绍雄 杨恒青 黄长河 陈骏逸 胡刚 吴仲墀 
本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED...
关键词:GASB ALSB GAAS 应变层 分子速 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部