SiO2中Na及Si中B的SIMS分析  

作　　者：杨恒青[1] 张敏如[2] 

机构地区：[1]复旦大学材料系 [2]华越微电子公司

出　　处：《真空科学与技术》1998年第A12期121-124,共4页Vacuum Science and Technology

摘　　要：ＳＩＭＳ对二氧化硅中钠离子有相当高的检测灵敏度，但其定量分析较为困难。在二氧化硅的ＳＩＭＳ图谱中，由一二氧化硅中的Ｎａ离子的计数和与“ＳｉＯ２”计数和之比正比于二氧化硅中的Ｎａ离子的平均体密度，因此中采用做过ＢＴ（温度偏压）实验的ＭＯＳ电容作为“标定”。因此用ＭＯＳ电容的ＢＴ实验也仅能求出可动钠离子的面密度，因此该方法仅能半定量地对二氧化硅中的Ｎａ离子进行估算。

关 键 词：二氧化硅 钠沾污 MOS电容 定标 SIMS 硅 硼杂质 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学] O657.99[理学—分析化学]