发射结

作品数：81被引量：38H指数：4
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兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管被引量：1
《北京工业大学学报》2023年第11期1141-1149,共9页金冬月 贾晓雪 张万荣 那伟聪 曹路明 潘永安 刘圆圆 范广祥 
北京市自然科学基金资助项目(4143059,4192014);北京市教育委员会科技计划资助项目(KM201710005027)。
为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn...
关键词：电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor BCPT) 金属-半导体接触的功函数差 正衬底偏压结构 发射结注入效率 电流增益 击穿电压 
外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术分析
《集成电路应用》2023年第7期38-40,共3页王晓军 
阐述外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术,包括IGBT器件的特点,IGBT背面FS层的设计技术,IGBT产品工艺流程设计。探讨在FS-IGBT背面减薄之后,背面硼离子注入之前,用四探针测试芯片背面方块电阻来控制背面发射结发射效率,实...
关键词：集成电路制造 绝缘栅双极晶体管 背面FS层 工艺流程设计 
N型背接触异质结太阳电池概述被引量：3
《材料导报》2020年第S01期19-21,共3页杨振英 卢刚 郑璐 何凤琴 刘英 郗复缓 
在P型晶体硅太阳电池转换效率提升接近极限的情况下,N型晶体硅太阳电池因少子寿命长、光致衰减小、对金属污染的容忍度高等优点,在光伏行业内掀起了研究和产业化的新浪潮。目前研究较多并实现规模化生产的N型电池主要有钝化效果较好、...
关键词：HIBC电池 P型发射结宽度 背表面场宽度和隔离层间隙 掩模板 
石墨烯“打底”制备出高速晶体管
《光学精密机械》2019年第4期4-5,共2页
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅—石墨烯—锗晶体管”,成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上,并将其截止频率由兆赫兹(MHz)...
关键词：肖特基结 发射结 截止频率 科研人员 高速器件 吉赫兹 石墨烯 延迟时间 
二维材料 材料界的一场新革命
《粉煤灰综合利用》2019年第6期92-92,97,共1页郝晓明 
科技日报沈阳10月29日电(记者郝晓明)记者从中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心获悉,该中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅一石墨烯一锗晶体管”,成功将石墨烯基区晶体管的延...
关键词：肖特基结 发射结 截止频率 科研人员 二维材料 吉赫兹 延迟时间 垂直结构 
N型背接触异质结太阳电池背面结构参数优化被引量：4
《材料导报》2019年第A01期45-49,共5页卢刚 杨振英 何凤琴 郑璐 钱俊 封先锋 高嘉庆 
青海省重大专项(2017-GX-A5)~~
利用Silvaco-TCAD软件对N型HIBC晶硅太阳电池的输出特性进行模拟仿真,分析发射结宽度、背表面场宽度、隔离层宽度等背面结构参数对HIBC太阳电池短路电流、开路电压、填充因子、转换效率的影响。HIBC电池背面结构优化参数为:背面本征非...
关键词：HIBC晶硅太阳电池 发射结宽度 转换效率 
双异质结单载流子传输光敏晶体管输出电流
《红外与毫米波学报》2017年第5期594-598,共5页刘硕 谢红云 孙丹 刘芮 吴佳辉 张万荣 
国家自然科学基金(61774012;61574010;61006044;61604106);北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金(KYJJ2016008);北京市自然科学基金(4122014;4142007);山东省自然科学基金项目(ZR2014FL025)~~
详细对比并分析了双异质结单载流子传输光敏晶体管(Uni-travelling-carrier Double Heterojunction Phototransistor,UTC-DHPT)与单异质结光敏晶体管(Single Heterojunction Phototransistor,SHPT)在大的入射光功率范围下集电极输出电...
关键词：光敏晶体管 单载流子传输 输出电流 空间电荷效应 发射结注入效率 
卫星电视接收系统与有线数字机顶盒常见故障分析与检修(五)
《家电检修技术》2014年第11期56-58,共3页王成杰 
（2）晶体管损坏时的电路状态如图3所示。若测得基极电压等于发射极电压,集电极.电压接近电源电压,表明发射结已击穿,管子失去了放大作用,由于集屯极电流较小,所以集电极电压上升接近电源电压。如图3（b）所示。若测得基极电压比正常值...
关键词：集电极电流 电源电压 数字机顶盒 发射结 卫星电视接收 故障分析 电压升高 电压上升 电压比 电路状态 
高方阻密栅电池发射结方阻的优化被引量：5
《光电技术应用》2013年第1期18-24,共7页高华 黄其煜 
"上海市闵行区校企合作技术创新专项"(#2011MH060)支持
主要介绍了晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化,特别是对高发射结方阻方面,以及后道工序中如何使之适应高方阻工艺。在高方阻方面主要采用了深结高方阻,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化及大量实验,获得了高达635...
关键词：高方阻发射结 晶体硅电池 转换效率 
操作开路 创新教学模式 手脑并用 培养实用人才
《才智》2011年第27期16-16,共1页景永强 
本文旨在探讨中职学校电类和计算机类专业电子线路的课堂教学的入手和提高方法,从操作方面尝试提高学生电子课理论学习的入门、提高和巩固,同时也探讨一种更切合实际效果的考核方法,从而有效的提高教学效率。
关键词：电子线路 计算机类专业 创新教学模式 理论学习 课堂教学 教学全过程 发射结 电类 应用型技能 实训 
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