结型晶体管

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低温LBJT性能表征
《低温物理学报》2021年第1期26-32,共7页张玉镜 陈越峰 张元可 雒超 
作为集成电路的重要组成器件,双极结型晶体管在高速高频等方面有着互补金属氧化物半导体不能替代的优点.由于常规双极结型晶体管在低温环境中增益骤降,器件性能大幅衰减,故双极结型晶体管低温性能的研究较少且仅限于77K以上的温度.本文...
关键词：低温 水平双极结型晶体管 衬底偏压 低温温度传感器 
新型无结型晶体管特性仿真及性能优化设计
《微电子学》2020年第1期106-111,共6页孙川川 高瑛珂 王农 李圣龙 赵云富 梁贤赓 
抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(19-H863-02-ZT-003-024-18).
随着晶体管特征尺寸缩小至10 nm以下,传统Si基MOSFET面临诸多挑战,而新型沟道材料和器件结构将有望进一步提升器件性能。基于绝缘体上锗衬底的无结型晶体管(GOI-JLT)制作工艺简单、电学特性优良,有望在空间电子系统中应用。利用TCAD仿...
关键词：无结型晶体管 绝缘体上锗 沟道掺杂分布 短沟道效应 TCAD仿真 
功率半导体迎来新一轮发展机遇
《变频器世界》2019年第4期31-40,共10页天风证券 
1功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要用途包括逆变、变频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功率半导体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极...
关键词：功率半导体器件 绝缘栅双极型晶体管 电能转换 功率二极管 结型晶体管 电力晶体管 IGBT 子类型 
什么是GTR晶体管
《家电维修》2018年第8期47-47,共1页王绍华 
GTR晶体管是一种耐高压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor），也叫NT晶体管。通常为NPN型，基极P层半导休采用沟槽型结构，也就是基极像沟槽一样镶嵌在N层发射区，并且在集电区设有N层缓冲区。
关键词：结型晶体管 GTR NPN型 槽型结构 耐高压 大电流 发射区 缓冲区 
恒压/恒流初级侧调节（PSR）开关IC
《今日电子》2015年第2期91-91,共1页
Link Switch-4产品系列采用高级自适应基极-发射极开关驱动技术,支持使用双极结型晶体管（BJT）开关,从而大幅提高电源转换效率并消除次级击穿产生的可靠性问题。新的系列器件专门适用于要求满足美国能源部（DoE）和欧盟行为准则（CoC...
关键词：开关 IC 恒流 恒压 电源转换效率 结型晶体管 可靠性问题 美国能源部 
沟道形状对无结型多栅器件性能影响探究
《微电子学》2014年第3期380-383,共4页胡梦月 梁仁荣 王敬 许军 
国家重点基础研究发展规划项目(2011CBA00602);国家科技重大专项(2009ZX02035-004-01;2011ZX02708-002)
随着集成电路特征尺寸进入纳米尺度,摩尔定律的延续受到一定的挑战,纳米技术代的晶体管亟需全新的材料、器件结构和工艺集成技术。在器件结构方面,无结型场效应晶体管由于其近似理想的电流电压特性、优良的等比例缩小能力以及极其简单...
关键词：无结型晶体管 沟道形状 短沟道效应 
大幅提高晶闸管的dV/dt耐受性
《EDN CHINA 电子技术设计》2014年第4期44-45,共2页Marian Stofka 
晶闸管（SCR）是一种半导体开关器件。早在1956年，Moll等人就发表了这种开关器件的理论基础。尽管低功率器件在当代开关领域已基本销声匿迹，并被高压双极结型晶体管（BJT）、
关键词：晶闸管 半导体开关器件 耐受性 结型晶体管 功率器件 双极 
深亚微米CMOS模拟集成电路设计被引量：1
《中国科技信息》2014年第6期180-180,共1页宋邦燮 刘力源 
《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计，首先介绍双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的抽象模型．然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括：运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、...
关键词：模拟集成电路设计 深亚微米CMOS 数据转换器 金属氧化物半导体 结型晶体管 运算放大器 抽象模型 奈奎斯特 
档案揭秘
《科技纵览》2013年第12期4-4,共1页
在高技术领域的杰出人物中，很少有人能掩盖威廉·肖克利（William Shockley）的光芒。这样说的理由很充足：他发明了面结型晶体管，与同事共同荣获了诺贝尔物理学奖。
关键词：诺贝尔物理学奖 档案 结型晶体管 
适合功率转换系统的碳化硅技术解决方案
《今日电子》2013年第1期61-61,共1页
飞兆半导体首先发布了先进的SiC双极结型晶体管（BJT）系列，该系列产品可实现较高的效率、电流密度和可靠性，并且能够顺利地进行高温工作。其传导和开关损耗较低（30～50％），从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40％的输出功率提升。
关键词：功率转换系统 硅技术 碳化 结型晶体管 飞兆半导体 电流密度 开关损耗 功率提升 
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