NPN型

作品数：45被引量：12H指数：2
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NPN型双极晶体管中子位移损伤差异实验研究
《现代应用物理》2024年第3期105-111,119,共8页刘炜剑 李瑞宾 王桂珍 白小燕 金晓明 刘岩 齐超 王晨辉 李俊霖 
国家自然科学基金资助项目(11835006);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR2202)。
利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E...
关键词：NPN型双极晶体管 固定发射极电流 中子位移损伤 电流增益 
基于硅衬底的NPN型超高频低噪声晶体管的研制方法
《装备维修技术》2020年第15期0322-0322,共1页吴贵阳 
文章从器件结构设计、热学设计以及可靠性设计三个方面分析了基于硅衬底的 NPN 型超高频低噪声晶体管的研制技术,旨 在为研究人员提供相关经验参考。
关键词：NPN 超高频低噪声 晶体管 研制方法 
NPN型接近开关在桥式起重机的应用
《机电工程技术》2020年第1期143-144,173,共3页詹志安 
NPN型接近开关作为桥式起重机的安全限位开关,不仅可以改善机械式限位开关内部结构容易老化、回位弹簧因锈蚀或长期挤压而失去原有的弹性、触点接触不良或者无法复位等问题,还可以提高桥式起重机的整体安全性能。通过对接近开关工作原理...
关键词：PLC 接近开关 行程开关 桥式起重机 
基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响
《现代应用物理》2019年第3期54-58,共5页李骏 王健安 吴雪 李兴冀 杨剑群 王志宽 
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1712)
针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN...
关键词：NPN型晶体管 表面掺杂浓度 电离损伤 深能级瞬态谱 
什么是GTR晶体管
《家电维修》2018年第8期47-47,共1页王绍华 
GTR晶体管是一种耐高压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor），也叫NT晶体管。通常为NPN型，基极P层半导休采用沟槽型结构，也就是基极像沟槽一样镶嵌在N层发射区，并且在集电区设有N层缓冲区。
关键词：结型晶体管 GTR NPN型 槽型结构 耐高压 大电流 发射区 缓冲区 
用TIP35C代换TIP36C修复功放电路
《家电维修》2017年第6期52-52,共1页陈伟 
从图1中可知，TIP41C与TIP35C组成NPN型复合管，担任推挽放大上臂；TIP42C、TIP36C组成PNP型复合管，担任推挽放大下臂，完成音频信号的放大。复合三极管的组合原则，只要保证TIP42C和后面的功率管复合后保持PNP导电特性，就可以用TIP35...
关键词：功放电路 代换 修复 推挽放大 PNP型 复合管 NPN型 音频信号 
浅谈不同类型三极管的复合应用
《家电维修》2017年第1期52-52,共1页陈伟 
在功放电路中，为了提高电路的放大倍数。常用两只三极管通过一定的连接方式组成一只复合管。亦称达林顿管。在图1所示功放电路中。V4和V6复合成NPN型管。V4导通后，其集电极电流在220Ω负载电阻R1上产生的压降作为V6的b-e结偏压，V4导...
关键词：三极管 复合应用 类型 功放电路 NPN型 集电极电流 放大倍数 连接方式 
硅NPN型红外光电晶体管输出光电流及线性度的研究被引量：1
《人工晶体学报》2016年第7期1770-1774,共5页周涛 陆晓东 吴元庆 
国家自然科学基金(11304020)
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了在不同上表面非金属接触区域复合速率（FSRV）、光强（Pin）及光照基区横向宽度（SBL）的情况下，硅NPN红外光电晶体管输出光电流（IL）及输出光电流线性度的变化特点和规律。仿真结果表明：当SB...
关键词：光电晶体管 光照基区 光电流 输出特性 线性度 优化 
一种NPN型功率管驱动电路的设计被引量：2
《微电子学》2016年第3期352-355,共4页李云鹏 范国亮 张国俊 
为NPN型功率管的降压型开关电源芯片设计了一种驱动电路。针对功率管工作在导通状态下的导通损耗和在开关状态转换中的开关损耗,设计了自举电路,使功率管饱和;设计了加速电路,缩短了功率管状态转换所用时间,降低了功率管损耗。在2μm双...
关键词：NPN功率管 自举电路 开关损耗 饱和 
小议场效应管的驱动电路
《家电维修》2016年第5期53-54,共2页孔德因 
场效应管的G极和S极是绝缘的，其阻抗达数十兆欧姆，理论上驱动场效应管只需要电压不需要电流，也就是零功率驱动。但许多电路尤其是要驱动功率较大的场效应管时，在G极前面却有一个用PNP型和NPN型三极管组成的推挽推动级，例如电磁炉I...
关键词：场效应管 驱动电路 NPN型三极管 IGBT管 功率驱动 驱动功率 PNP型 推动电路 
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