深亚微米CMOS模拟集成电路设计  

作　　者：宋邦燮 刘力源 

机构地区：[1]加州大学圣地亚哥分校电子和计算机工程系

出　　处：《中国科技信息》2014年第6期180-180,共1页China Science and Technology Information

摘　　要：《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计，首先介绍双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的抽象模型．然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括：运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频率综合和时钟恢复等。《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》对模拟设计概念的描述将诉诸更加直观的方法而不是繁琐的公式推导。

关 键 词：模拟集成电路设计 深亚微米CMOS 数据转换器 金属氧化物半导体 结型晶体管 运算放大器 抽象模型 奈奎斯特 

分 类 号：TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]