深亚微米CMOS

作品数：17被引量：24H指数：2
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深亚微米CMOS环形放大器研究被引量：1
《天津职业技术师范大学学报》2019年第2期13-18,共6页裴志军 王雅欣 韩蕾 
天津市自然科学基金资助项目(15JCYBJC52200)
随着CMOS工艺技术的持续进步,模拟集成电路中能耗有效的放大器设计面临着严峻挑战。CMOS环形放大器具有与环形振荡器相似的简单结构,能够随现代CMOS工艺特征尺寸的缩小而改善性能,且以低功耗获得高增益。文章分析了环形放大器转换、稳...
关键词：环形放大器 深亚微米 环形震荡器 反相器 模拟集成电路 
深亚微米CMOS模拟集成电路设计被引量：1
《中国科技信息》2014年第6期180-180,共1页宋邦燮 刘力源 
《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计，首先介绍双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的抽象模型．然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括：运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、...
关键词：模拟集成电路设计 深亚微米CMOS 数据转换器 金属氧化物半导体 结型晶体管 运算放大器 抽象模型 奈奎斯特 
一种深亚微米CMOS工艺驱动电感式互联缓冲器工作模式的研究
《科学技术与工程》2012年第17期4295-4299,共5页张东海 令文生 
研究了互补金属-氧化物半导体(CMOS)的栅极驱动电阻-电感-电容(RLC)互联的实际工作模式。采用α-指数模型,对深亚微米CMOS线驱动器晶体管工作区内的片上互联电感效应进行了分析。这项研究表明在缓冲区切换时,线性和饱和的工作模式有可...
关键词：深亚微米CMOS缓冲器 感性互联 传输线 估算表达式 
基于深亚微米CMOS工艺改进的电荷放大器的噪声模型被引量：2
《清华大学学报（自然科学版）》2010年第11期1776-1780,1784,共6页李翔宇 张琦 孙义和 
基于深亚微米CMOS工艺对粒子探测器读出电荷灵敏放大器电路的噪声进行了优化,计算了输入管的所有有关的噪声并考虑了非输入管噪声及稳定性影响输入的因素,提出了一种更精确的电路噪声模型,可在现有的EKV模型应用基础上,对MOS管的各个工...
关键词：粒子探测器系统 电荷灵敏放大器 深亚微米工艺 噪声优化 EKV模型 
SCR器件在深亚微米CMOS静电保护电路中的应用
《电子工艺技术》2006年第5期277-280,284,共5页江清明 罗宏伟 周继承 
CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,对ESD保护的要求也更加严格,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,总结了SCR保护...
关键词：深亚微米 静电放电 SCR结构 可靠性 
深亚微米CMOS混合信号电路衬底噪声耦合宏模型
《微电子学与计算机》2006年第5期128-131,135,共5页吴晓鹏 杨银堂 朱樟明 
国家自然科学基金项目(60476046);国家863计划项目(2002AA1Z1210);电子元器件可靠性重点实验室基金项目(51433030304DZ01)
提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型。该宏模型通过器件模拟与非线性拟合相结合的方法建立,使衬底寄生参数的提取更加方便,同时保障了深亚微米电路特性的模拟精度。此外,该宏模型结构简单,可以得到与器件...
关键词：衬底噪声 数模混合电路 电阻宏模型 CMOS 
深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统被引量：1
《计算机辅助设计与图形学学报》2005年第9期2046-2052,共7页易婷 洪志良 
介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出...
关键词：模拟电路综合 优化 集成电路CAD 
深亚微米CMOS运算放大器的综合被引量：8
《计算机辅助设计与图形学学报》2004年第12期1631-1639,共9页易婷 洪志良 
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能...
关键词：CMOS运算放大器 模拟电路综合 直流工作点 可制造性电路设计 
深亚微米CMOS的功耗分析被引量：2
《中国集成电路》2004年第12期29-37,共9页吉利久 
关键词：CMOS工艺 深亚微米 MOSFET 数字集成电路 功耗分析 电路结构 器件 极性 
深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型被引量：1
《微纳电子技术》2004年第6期44-48,共5页陈志坚 郑学仁 姚若河 李斌 
介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方法的影响。
关键词：深亚微米 CMOS BSIM 电荷模型 表面势模型 电导模型 
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