江清明

作品数：4被引量：9H指数：2
导出分析报告
供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
发文主题：电迁移铝通孔集成电路可靠性晶片更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《半导体技术》《电子质量》《电子工艺技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
集成电路互连铝通孔焦耳热效应的分析与模拟仿真被引量：1
《功能材料与器件学报》2008年第4期848-852,共5页江清明 周继承 杨春晖 章晓文 
国家自然科学基金资助项目(No.60371046)
对超大规模集成电路铝互连系统中的铝通孔电迁移进行了试验分析和模拟。以通孔开路为电迁移失效判据,求出了在加速条件下互连铝通孔的电迁移寿命;基于ANSYS模拟软件平台,对铝通孔电迁移热电耦合效应进行了模拟。仿真结果表明通孔最高温...
关键词：集成电路 通孔 金属互连线 温度分布模型 焦耳热 
互连铝通孔电迁移特征及其可靠性研究被引量：4
《半导体技术》2007年第10期843-846,共4页江清明 周继承 杨春晖 章晓文 
国家自然科学基金资助项目(60371046)
研究了超大规模集成电路铝互连系统中铝通孔的电迁移失效机理及其可靠性寿命评价技术。试验采用CMOS和BiCMOS两种工艺各3组的铝通孔样品,分别在三个温度、恒定电流的加速条件下试验,以通孔开路为电迁移失效判据,最后得到了在加速条件下...
关键词：通孔 电迁移 可靠性评价 加速寿命 
SCR器件在深亚微米CMOS静电保护电路中的应用
《电子工艺技术》2006年第5期277-280,284,共5页江清明 罗宏伟 周继承 
CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,对ESD保护的要求也更加严格,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,总结了SCR保护...
关键词：深亚微米 静电放电 SCR结构 可靠性 
集成电路可靠性电迁移评估技术被引量：4
《电子质量》2006年第8期30-32,共3页江清明 何小琦 杨春晖 周继承 
随着VLSI集成度的提高,金属化互连线的几何尺寸亦不断缩小,电迁移成为更为严重的可靠性问题,电迁移评估技术也越来越多。本文全面地总结了各种电迁移评估技术。
关键词：电迁移 速度漂移 低频噪声 Trace法 晶片级 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部