集成电路可靠性电迁移评估技术  

Electro Migration Evaluation Technology of IC Reliability

作　　者：江清明[1,2] 何小琦[1,2] 杨春晖[1,2] 周继承[1,2] 

机构地区：[1]信息产业部电子第五研究所,广州510610 [2]中南大学物理科学与技术学院,长沙410083

出　　处：《电子质量》2006年第8期30-32,共3页Electronics Quality

摘　　要：随着VLSI集成度的提高,金属化互连线的几何尺寸亦不断缩小,电迁移成为更为严重的可靠性问题,电迁移评估技术也越来越多。本文全面地总结了各种电迁移评估技术。As the VLSI integration level advanced, metal interconnect is narrowing, so the electro migration has been a serious reliability issue, meanwhile more and more the electro migration evaluation technology appeared. The article thoroughly summarized the electro migration evaluation technologies.

关 键 词：电迁移 速度漂移 低频噪声 Trace法 晶片级 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]