SCR器件在深亚微米CMOS静电保护电路中的应用  

Application of SCR Device in Deep Sub-micron COMS ESD Protect circuit

作　　者：江清明[1] 罗宏伟[1] 周继承[2] 

机构地区：[1]信息产业部电子第五研究所,广东广州510610 [2]中南大学,湖南长沙410083

出　　处：《电子工艺技术》2006年第5期277-280,284,共5页Electronics Process Technology

摘　　要：CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,对ESD保护的要求也更加严格,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向。CMOS technology have reached the deep sub -micron level, ESD protect ability of chip are greatly restricted. Therefore, the demand for ESD protect becomes stricter, and it needs to take more effective and reliability ESD protect measure. SCR devices are widely used for CMOS ESD protect circuit, introduce various circuit work mechanism during development of SCR protect circuit. Provide SCR protect design rule and development direction for IC designers.

关 键 词：深亚微米 静电放电 SCR结构 可靠性 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]