云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- BSIM

BSIM: 作品数：21被引量：28H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：韩郑生刘军海潮和李瑞贞李庆华更多>>; 相关机构：杭州电子科技大学中国科学院微电子研究所华东师范大学北京华大九天科技股份有限公司更多>>; 相关期刊：《微电子技术》《Journal of Microelectronic Manufacturing》《微电子学与计算机》《Chinese Journal of Electronics》更多>>; 相关基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金美国国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>

基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模: 《半导体技术》2025年第4期339-344,共6页王悦杨马英杰白永林吴佳颖廉浩哲唐敏刘伟景; 对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...; 关键词：核壳结构纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 SPICE建模

基于BSIM-BULK的体接触SOI器件的射频建模: 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2024年第5期13-19,共7页庄宇周文勇陈展飞刘军; 提出了一种适用于体接触SOI器件的建模方法。在BSIM-BULK模型的基础上,模型新增一个SOI器件所需的体端口,对体-衬底的结构进行表征,通过外围寄生电路模型来表征SOI的射频寄生效应。提出了明确的参数提取方法。通过调节外围寄生元件参数...; 关键词：BSIM-BULK 体接触射频模型外围寄生

基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模被引量：1: 《半导体技术》2024年第5期442-448,共7页陈光前王悦杨唐敏刘伟景; 国家自然科学基金(62174055)。; 随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克...; 关键词：纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型直流特性参数提取

BSIM-CMG Compact Model for IC CAD: from FinFET to Gate-All-Around FET Technology被引量：1: 《Journal of Microelectronic Manufacturing》2020年第4期2-11,共10页Avirup Dasgupta Chenming Hu; We discuss the BSIM-CMG compact model for SPICE simulations of any common multi-gate(CMG)device.This is an industry standard model which has been used extensively for FinFETs IC design and simulation,and has now been ...; 关键词：GATE-ALL-AROUND GAAFET FINFET BSIM BSIM-CMG Compact model Quantum NANOSHEET 3D TRANSISTOR

基于PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB的DG SOI建模与仿真被引量：1: 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2020年第3期7-13,共7页汪国芳刘军吴钰鑫罗琳; 基于p型衬底的DG SOI MOSFET器件,分析了PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB模型器件建模的可适用性。对3种模型的物理机理和数学方程进行研究,提取器件的直流特性及参数值。实验数据对比结果表明:相比PSP-SOI和HiSIM-SOTB,BSIM-IMG的仿真精...; 关键词：PSP-SOI BSIM-IMG HiSIM-SOTB 双栅 MOSFET 直流特性

伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展被引量：1: 《半导体技术》2018年第1期15-23,共9页刘芳陈燕宁李建强付振袁远东张海峰唐晓柯; 随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM...; 关键词：伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM) 阈值电压饱和电流电荷密度夹断电势电容模型

一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型: 《半导体技术》2018年第1期42-47,共6页朱袁科李文钧陆海燕刘军; 提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用（o...; 关键词：FINFET 变容管 BSIM-CMG 参数提取模型

BSIM射频模型综述被引量：1: 《电子与封装》2017年第9期32-36,共5页李艳艳王青松徐大为; CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术要求模型研究人员持续改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型。美国Berkeley加州大学的BSIM团队对业界标准芯片仿真物理模型BSIM进行了不断的改进与开发。主要介绍BSIM系列模型在RF应...; 关键词：射频紧凑型模型 BSIM6

Applying a dual optimization method to quantify carbon fluxes:recent progress in carbon flux inversion被引量：1: 《Chinese Science Bulletin》2014年第2期222-226,共5页Heng Zheng Yong Li Jingming Chen Ting Wang Qing Huang Yao Sheng; supported by the Key Global Change Program of the Chinese Ministry of Science and Technology(2010 CB950703); The widely performed Bayesian synthesis inversion method(BSIM)utilizes prior carbon flux and atmospheric carbon dioxide observations to optimize the unknown flux.The prior flux is usually computed from ecological mode...; 关键词：反演方法碳通量优化 BSIM 量化应用 DOM 均方根误差

基于粒子群优化算法的BSIM SOI模型参数提取被引量：3: 《微电子学与计算机》2013年第1期90-93,共4页张国和郑雪陈克斌; 中央高校基本科研业务费专项资金;教育部博士点新教师基金项目(20090201120026); 本文给出一种基于粒子群优化算法的BSIM SOI MOSFETs模型参数提取方法.该方法采用全局优化策略,计算简单,对初值依赖性低,使用浮点数编码方法,避免了数码转换时所出现的误差.与遗传算法参数提取相比,粒子群优化算法无需进行交叉、变异...; 关键词：SOI MOSFETS 粒子群优化算法参数提取全局优化

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