基于粒子群优化算法的BSIM SOI模型参数提取  

A BSIM SOI Model Parameter Extraction Method for SOI MOSFETs Based on PSO

作　　者：张国和[1] 郑雪[1] 陈克斌[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电信学院,陕西西安710049

出　　处：《微电子学与计算机》2013年第1期90-93,共4页Microelectronics & Computer

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金;教育部博士点新教师基金项目(20090201120026)

摘　　要：本文给出一种基于粒子群优化算法的BSIM SOI MOSFETs模型参数提取方法.该方法采用全局优化策略,计算简单,对初值依赖性低,使用浮点数编码方法,避免了数码转换时所出现的误差.与遗传算法参数提取相比,粒子群优化算法无需进行交叉、变异等操作,容易理解,易于实现,且收敛速度更快.对用该方法得到的参数值代入器件模型进行了计算,计算结果与测试结果吻合很好.本方法亦可用作对其他种类的MOSFETs进行全局参数提取.A method to extract model parameters based on PSO（Particle Swarm Optimization） algorithm is presented for BSIM SOI（Silicon on Insulator） devices in this paper.Using global optimization,this method has simple calculation and has low dependence on initial value.The use of float-encoding in this method avoids the error of digital transfer.Compared with parameter extraction method based on Genetic Algorithm,this method does not require crossover and mutation operations.And it can be easily understood and implement,and has high speed as well.Computation is very simple using this method and it does not require an in-depth understanding of the model equation or a lot of experience with parameter extraction.Using parameters found by this method,the simulation results are matched well with the measurement data.This method also can be applied to other kind of MOSFETs（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor） for global parameter extraction.

关 键 词：SOI MOSFETS 粒子群优化算法 参数提取 全局优化 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]