扩展电阻探针在硅材料研究上的应用  

作　　者：李冀东[1] 施锦行[1] 佘思明[1] 

机构地区：[1]中南工业大学应用物理与热能工程系

出　　处：《半导体技术》1996年第6期35-37,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。

关 键 词：扩展电阻探针 硅 电阻率 氧施主 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]